[發(fā)明專利]單晶圓干燥裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010582195.7
• 申請日: 2010-12-06
• 公開（公告）號: CN102148133A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張曉紅;吳儀;趙宏宇;王銳廷
• 申請（專利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;F26B3/02
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶圓干燥工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種單晶圓干燥裝置及方法。

背景技術(shù)

集成電路晶圓的清洗工藝中，干燥晶圓上表面是非常重要的一環(huán)。晶圓上表面的干燥方法有很多，槽式清洗和單片清洗的干燥各有不同。當(dāng)前單片晶圓清洗的干燥方法有離心力脫水法(Spin?dry)、異丙酮(iso-Propyl?alcohol，IPA)表面張力梯度法和熱氮?dú)夥ā５F(xiàn)有的這些干燥方法中，在單片晶圓清洗中的干燥過程中很容易形成水痕，從而造成產(chǎn)品缺陷，并且由于現(xiàn)有的清洗過程中對工藝液體沒有進(jìn)行回收，導(dǎo)致原料浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何避免干燥過程中產(chǎn)生水痕從而導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷，并在清洗過程中對工藝液體進(jìn)行回收，節(jié)約原料。

(二)技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種單晶圓干燥裝置，包括：工藝腔體和設(shè)置在所述工藝腔體中的晶圓支撐，還包括：一端連接于所述工藝腔體外壁上的進(jìn)氣管和連接在所述進(jìn)氣管上的第一氮?dú)廨斎牍苈罚鲞M(jìn)氣管的另一端與用于裝載異丙酮的蒸汽腔體連接，所述蒸汽腔體內(nèi)設(shè)有加熱裝置，所述蒸汽腔體出口和所述第一氮?dú)廨斎牍苈穬?nèi)均設(shè)有氣體質(zhì)量流量計。

其中，還包括：伸入所述工藝腔體的第二氮?dú)廨斎牍苈贰?/p>

其中，所述進(jìn)氣管外壁設(shè)有保溫層。

其中，所述進(jìn)氣管上設(shè)有氣泵。

其中，所述裝置還包括：去靜電裝置，所述去靜電裝置設(shè)置于所述工藝腔體外，與所述工藝腔體外壁相連；或設(shè)置于所述工藝腔體內(nèi)。

其中，所述裝置還設(shè)有排氣管，設(shè)置于所述工藝腔體外壁，在所述排氣管上設(shè)有排氣冷卻盤管。

其中，所述工藝腔體內(nèi)設(shè)有異丙酮冷卻盤管，并在所述工藝腔體內(nèi)低于所述異丙酮冷卻盤管處設(shè)有異丙酮回收盤，所述異丙酮回收盤底端設(shè)有異丙酮回收管。

其中，所述裝置還包括工藝液體輸入管，所述工藝液體輸入管伸入所述工藝腔體內(nèi)，所述工藝腔體內(nèi)所述異丙酮回收盤和所述晶圓支撐之間設(shè)有工藝液體回收盤，所述工藝液體回收盤底端設(shè)有工藝液體回收管。

本發(fā)明還公開了一種基于所述干燥裝置的干燥方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在進(jìn)行晶圓的清洗工藝后，使晶圓支撐裝置帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，直至晶圓上表面液膜達(dá)到設(shè)定厚度，通過第一氮?dú)廨斎牍苈份斎氲獨(dú)猓⒔?jīng)進(jìn)氣管進(jìn)入工藝腔體，直至氮?dú)庖?!-- SIPO -->充滿整個工藝腔體；

S2：啟動加熱裝置，產(chǎn)生異丙酮蒸汽，與第一氮?dú)廨斎牍苈份斎氲牡獨(dú)庖煌M(jìn)入工藝腔體，使晶圓上表面的液膜蒸發(fā)。

其中，步驟S2中，啟動加熱裝置后通過第二氮?dú)廨斎牍苈份斎霟岬獨(dú)狻?/p>

(三)有益效果

本發(fā)明通過各個部件之間的配合，避免了干燥過程中產(chǎn)生水痕導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷，并在清洗過程中對工藝液體進(jìn)行回收，節(jié)約了原料。

附圖說明

圖1是按照本發(fā)明一種實施方式的單晶圓干燥裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是按照本發(fā)明一種實施方式的單晶圓干燥裝置的流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。