[發明專利]單晶圓干燥裝置及方法有效
| 申請號: | 201010582195.7 | 申請日: | 2010-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN102148133A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發明(設計)人: | 張曉紅;吳儀;趙宏宇;王銳廷 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;F26B3/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單晶圓 干燥 裝置 方法 | ||
1.一種單晶圓干燥裝置,包括:工藝腔體(7)和設置在所述工藝腔體(7)中的晶圓支撐(20),其特征在于,還包括:一端連接于所述工藝腔體(7)外壁上的進氣管(6)和連接在所述進氣管(6)上的第一氮氣輸入管路(3),所述進氣管(6)的另一端與用于裝載異丙酮的蒸汽腔體(2)連接,所述蒸汽腔體(2)內設有加熱裝置(1),所述蒸汽腔體(2)出口和所述第一氮氣輸入管路(3)內均設有氣體質量流量計。
2.如權利要求1所述的干燥裝置,其特征在于,還包括:伸入所述工藝腔體(7)的第二氮氣輸入管路(13)。
3.如權利要求1所述的干燥裝置,其特征在于,所述進氣管(6)外壁設有保溫層(5)。
4.如權利要求3所述的干燥裝置,其特征在于,所述進氣管(6)上設有氣泵。
5.如權利要求1所述的干燥裝置,其特征在于,所述裝置還包括:去靜電裝置(16),所述去靜電裝置(16)設置于所述工藝腔體(7)外,與所述工藝腔體(7)外壁相連;或設置于所述工藝腔體(7)內。
6.如權利要求1所述的干燥裝置,其特征在于,所述裝置還設有排氣管(18),設置于所述工藝腔體(7)外壁,在所述排氣管(18)上設有排氣冷卻盤管(19)。
7.如權利要求1所述的干燥裝置,其特征在于,所述工藝腔體(7)內設有異丙酮冷卻盤管(10),并在所述工藝腔體(7)內低于所述異丙酮冷卻盤管(10)處設有異丙酮回收盤(9),所述異丙酮回收盤(9)底端設有異丙酮回收管(14)。
8.如權利要求7所述的干燥裝置,其特征在于,所述裝置還包括工藝液體輸入管(11),所述工藝液體輸入管(11)伸入所述工藝腔體(7)內,所述工藝腔體(7)內所述異丙酮回收盤(9)和所述晶圓支撐(20)之間設有工藝液體回收盤(8),所述工藝液體回收盤(8)底端設有工藝液體回收管(15)。
9.一種基于如權利要求1-8所述的干燥裝置的干燥方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在進行晶圓的清洗工藝后,使晶圓支撐裝置(20)帶動晶圓旋轉,直至晶圓上表面液膜達到設定厚度,通過第一氮氣輸入管路(3)輸入氮氣,并經進氣管(6)進入工藝腔體(7),直至氮氣已充滿整個工藝腔體(7);
S2:啟動加熱裝置(1),產生異丙酮蒸汽,與第一氮氣輸入管路(3)輸入的氮氣一同進入工藝腔體(7),使晶圓上表面的液膜蒸發。
10.如權利要求9所述的干燥方法,其特征在于,步驟S2中,啟動加熱裝置(1)后通過第二氮氣輸入管路(13)輸入熱氮氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





