[發(fā)明專利]殼體及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010580593.5
• 申請(qǐng)日: 2010-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102534477A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;林順茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種殼體，其包括基體及形成于基體表面的色彩層，該色彩層包括一中間層和一表層，所述中間層與所述基體相結(jié)合，其特征在于：所述中間層含有A的碳化物、M的碳化物及碳化硼，所述表層含有A的氧化物、M的氧化物及氧化硼，其中A為鈦、鋯、鉻、鈮、鉭中的一種或以上，M為鎂、鈣、鍶、鋇中的一種或以上；該中間層中A的碳化物的質(zhì)量百分含量為92～98％，M的碳化物的質(zhì)量百分含量為1～6％，剩余的為碳化硼；該表層中A的氧化物的質(zhì)量百分含量為92～98％，M的氧化物的質(zhì)量百分含量為1～6％，剩余的為氧化硼；該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE?LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于28至35之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。

2.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述基體的材質(zhì)為金屬。

3.如權(quán)利要求2所述的殼體，其特征在于：所述基體的材質(zhì)為不銹鋼或鋁合金。

4.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述色彩層呈現(xiàn)黑色。

5.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述中間層以磁控濺射的方式形成，其厚度為100～200nm。

6.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于：所述表層以磁控濺射的方式形成，其厚度為50～100nm。

7.一種殼體的制備方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

在該基體的表面形成一色彩層，所述色彩層包括一中間層和一表層，所述中間層含有A的碳化物、M的碳化物及碳化硼，所述表層含有A的氧化物、M的氧化物及氧化硼，其中A為鈦、鋯、鉻、鈮、鉭中的一種或以上，M為鎂、鈣、鍶、鋇中的一種或以上；所述色彩層的形成采用磁控濺射法，制備AMB靶，該AMB靶中A的質(zhì)量百分含量為90～98％，M的質(zhì)量百分含量為0.5～5％，剩余的為硼；沉積所述中間層以乙炔為反應(yīng)氣體，乙炔的流量為50～80sccm，沉積時(shí)間為15～20min；沉積所述表層以氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣的流量為60～80sccm，沉積時(shí)間為8～12min；該色彩層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE?LAB表色系統(tǒng)的L*坐標(biāo)介于28至35之間，a*坐標(biāo)介于-1至1之間，b*坐標(biāo)介于-1至1之間。

8.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于：制備所述AMB靶采用如下方式實(shí)現(xiàn)：采用粉末冶金法，將質(zhì)量百分含量為90～98％的A、質(zhì)量百分含量為0.5～5％的M和剩余的硼原料粉體混合均勻，采用熱等靜壓制成一坯體，再在1000～1300進(jìn)行燒結(jié)2～5h。

9.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于：形成所述中間層的工藝參數(shù)為：AMB靶的功率為6～12kw，基體的偏壓為-50～-200V，占空比為35～65％，基體的溫度為100～180，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100～150sccm。

10.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于：形成所述表層的工藝參數(shù)為：AMB靶的功率為6～12kw，基體的偏壓為-50～-200V，占空比為35～65％；基體的溫度為100～180，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100～150sccm。