[發明專利]殼體及其制備方法

無效

• 申請號: 201010580593.5
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102534477A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;林順茂
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種殼體及其制備方法，尤其涉及一種具有黑色外觀的殼體及其制備方法。

背景技術

黑色涂層的應用主要是為了消除或減小光線的影響，或作為產品表面的裝飾涂層。目前最常用的制備黑色涂層的方法為電化學方法，如陽極氧化黑色膜，鍍黑鎳、黑鉻等，但該類方法污染重不環保。

PVD鍍膜技術是一種較為環保的鍍膜工藝。現有技術中，利用PVD鍍膜技術于殼體表面形成的黑色膜層在工業上應用得較多的主要是碳化鈦(TiC)及碳化鉻(CrC)等膜系。在利用PVD鍍膜技術制備黑色的碳化鈦或碳化鉻膜層的過程中，為了使膜層黑色的深度較大，即降低涂層的色度區域于CIE?LAB表色系統中的L*值使其小于35，通常需通入大量的碳源反應氣體，如甲烷、乙炔等，然而這些氣體通入過多時，氣體會與靶材反應造成靶材中毒。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種有效解決上述問題的黑色的PVD鍍膜的殼體。

另外，本發明還提供一種上述殼體的制備方法。

一種殼體，其包括基體及形成于基體表面的色彩層，該色彩層包括一中間層和一表層，所述中間層與所述基體相結合，所述中間層含有A的碳化物、M的碳化物及碳化硼，所述表層含有A的氧化物、M的氧化物及氧化硼，其中A為鈦、鋯、鉻、鈮、鉭中的一種或以上，M為鎂、鈣、鍶、鋇中的一種或以上；該中間層中A的碳化物的質量百分含量為92～98％，M的碳化物的質量百分含量為1～6％，剩余的為碳化硼；該表層中A的氧化物的質量百分含量為92～98％，M的氧化物的質量百分含量為1～6％，剩余的為氧化硼；該色彩層呈現的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標介于28至35之間，a*坐標介于-1至1之間，b*坐標介于-1至1之間。

一種殼體的制備方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

在該基體的表面形成一色彩層，所述色彩層包括一中間層和一表層，所述中間層含有A的碳化物、M的碳化物及碳化硼，所述表層含有A的氧化物、M的氧化物及氧化硼，其中A為鈦、鋯、鉻、鈮、鉭中的一種或以上，M為鎂、鈣、鍶、鋇中的一種或以上；所述色彩層的形成采用磁控濺射法，以AMB靶為靶材，其中A的質量百分含量為90～98％，M的質量百分含量為0.5～5％，剩余的為硼；沉積所述中間層以乙炔為反應氣體，乙炔的流量為50～80sccm，沉積時間為15～20min；沉積所述表層以氧氣為反應氣體，氧氣的流量為60～80sccm，沉積時間為8～12min；該色彩層呈現的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標介于28至35之間，a*坐標介于-1至1之間，b*坐標介于-1至1之間。

本發明所述殼體的制備方法在形成色彩層時，通過制備特殊成份的靶材，反應氣體乙炔流量的控制，形成所述中間層，以及反應氣體氧氣流量的控制，形成所述表層，通過所述中間層與表層綜合作用，使所述色彩層呈現黑色的目的。所述色彩層的制備過程中通入的反應氣體乙炔和氧氣的量較少，有效避免了靶材的中毒，同時制備獲得的色彩層的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*低于35。

附圖說明

圖1是本發明一較佳實施例殼體的剖視圖；

圖2是本發明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。

主要元件符號說明

殼體????????????10

基體????????????????11

色彩層??????????????13

中間層??????????????131

表層????????????????133

真空鍍膜機??????????20

鍍膜室??????????????21

AMB靶???????????????23

具體實施方式

請參閱圖1，本發明一較佳實施例的殼體10包括基體11及形成于基體11表面的色彩層13，該色彩層13包括一中間層131和一表層133，所述中間層131與所述基體11相結合。

基體11的材質為金屬，優選為不銹鋼或鋁合金。

所述中間層131以磁控濺射的方式形成，其含有A的碳化物、M的碳化物及碳化硼，其中A可為鈦、鋯、鉻、鈮、鉭中的一種或以上，M可為鎂、鈣、鍶、鋇中的一種或以上。所述中間層131中A的碳化物的質量百分含量可為92～98％，M的碳化物的質量百分含量可為1～6％，剩余的為碳化硼。所述中間層131的厚度為100～200nm。