[發明專利]改善晶圓邊緣顯影效果的方法

無效

• 申請號: 201010578096.1
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102566328A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李健;胡駿
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種改善晶圓邊緣顯影效果的方法，涉及半導體生產工藝。

背景技術

晶圓制造流程中的圖片邊緣工藝往往因為前層工藝的影響，使得晶圓邊緣顯影能力不夠造成邊緣缺失。而前層的影響主要來自于襯底的不平坦和形貌的不穩定。圖片邊緣之前的最后一道工序是IMD-CMP，而IMD-CMP后的表面形貌是變換不定的。影響圖片邊緣曝光顯影效果的重要參數項是焦距，而圖片在現有工藝中的焦距條件是固定不變的。對于變化的表面形貌，圖片邊緣無法保持始終一致并且最佳的曝光顯影效果，當遇到前層襯底表面形貌和圖片的條件不匹配的時候，就會造成局部顯影失效，出現邊緣缺失。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明解決的技術問題是提供一種改善晶圓邊緣顯影效果的方法，提出了一種可以提高圖片邊緣窗口，消除晶圓邊緣缺失的新方法。

本發明的目的通過提供以下技術方案實現：

一種改善晶圓邊緣顯影效果的方法，其中，包括以下步驟：

首先，將晶圓表面形貌和光刻條件參數相關聯；

其次，借助計算機系統，自動選取和所述表面形貌相匹配的光刻條件；

再次，曝光所述晶圓。

進一步地，所述光刻條件為光刻焦距。

在所述晶圓表面相對較厚的部分，選取更負的焦距；在所述晶圓表面相對較薄的部分，選取更正的焦距。

再進一步地，先所述將晶圓經過CMP或CVD工序，再將所述晶圓表面形貌和光刻條件參數相關聯。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：使晶圓各部分都能得到最佳的瀑光顯影效果，消除晶圓邊緣或其它局部的邊緣缺失。

附圖說明

下面結合附圖對本發明作進一步說明：

圖1為本發明測量圖片的示意圖。

具體實施方式

以下參照附圖說明本發明的最佳實施方式。

本發明針對以上問題，通過前后工序的關聯，提出了一種解決圖片邊緣缺失的方法。即在IMD-CMP之后測量每批產品的邊緣厚度，如圖1所示，計算機將其形貌自動進行分類，在本發明最佳實施方式中，計算機將其形貌分為3類，第一類100，在x方向突出圖片的；第二類200，在y方向突出圖片的；第三類300，在圖片內，靠近圖片邊緣的。

針對每一類的表面邊緣形貌，計算機自動調用一種最匹配的邊緣圖片條件，即給晶圓邊緣增加或減小焦距(在晶圓邊緣相對較厚的部分調用更負的焦距，在晶圓邊緣相對較薄的部分調用更正的焦距)，使每批產品在最合適的邊緣光刻條件下，得到最佳的瀑光顯影效果，從而可以消除晶圓邊緣(或其他局部)的邊緣缺失。

本發明的關鍵點在于：將IMD-CMP后的表面形貌和光刻條件相關聯，優選地，所述光刻條件為光刻焦距，并借助計算機系統，自動選取和CMP實際形貌相匹配的光刻條件，即實現了及時變化的圖片條件，從而使每一批晶圓產品在曝光時都能獲得最佳的曝光顯影效果，局部邊緣缺失得以消除。

值得一提的是：該方法可以應用到晶圓制造中的各個圖片工序，不一定是CMP之后，也可以是CVD之后；另外，圖片的可變參數也可以擴展到焦距以外的其它參數。

盡管為示例目的，已經公開了本發明的優選實施方式，但是本領域的普通技術人員將意識到，在不脫離由所附的權利要求書公開的本發明的范圍和精神的情況下，各種改進、增加以及取代是可能的。