[發明專利]二次熔融法生長稀土正鐵氧體光磁功能晶體的方法

無效

• 申請號: 201010577520.0
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102011188A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 王亞彬;曹世勛;張金倉;袁淑娟
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: C30B29/24
• 分類號: C30B29/24;C30B13/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種二次熔融法生長稀土正鐵氧體光磁功能晶體的方法，其特征在于該方法的具體步驟如下：

A.?配料預燒結：將高純R₂O₃和Fe₂O₃按摩爾比為1:1稱量、研磨、充分混合，其中R為稀土元素La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一種；然后置于高溫爐內在1000℃溫度下空氣中燒結12?h，隨爐降至室溫；

B.?多晶坯料棒制備：將預燒結原料放入研缽中充分研磨，放入模具中，在70—200?MP的等靜壓力下壓制成棒狀，然后置于高溫爐中，在1200—1300℃溫度下空氣中燒結24?h，隨爐降溫，步驟B流程重復兩次后得到多晶坯料棒；

C.?多晶坯料棒預熔融致密化：將多晶坯料棒掛入光學浮區爐中，保持多晶坯料棒和籽晶棒在旋轉時無可觀察的明顯擺動，生長氣氛為空氣，氣流速度控制在2—8?L/min，一次熔融速度為10—25?mm/h，多晶坯料棒和籽晶棒旋轉速度在10—30?rpm范圍調整，并且是反向旋轉，待全部結晶后，緩慢降至室溫，得到高致密度多晶坯料棒；

D.?二次熔融晶體生長：將預熔料棒掛入光學浮區爐中，保持預熔料棒和籽晶棒在旋轉時無可觀察的明顯擺動，生長氣氛為空氣，氣流速度控制在3—7?L/min，生長速度為1－9?mm/h，預熔料棒和籽晶棒旋轉速度在10—30?rpm范圍調整，并且是反向旋轉，待全部結晶后，緩慢降至室溫。

2.按權利要求1所述的二次熔融法生長稀土正鐵氧體光磁功能晶體的方法，其特征在于晶體生長時，通入高純氬氣、或氧氣氣氛，起到保護樣品或促使其充分反應。

3.按權利要求1所述的二次熔融法生長稀土正鐵氧體光磁功能晶體的方法，其特征在于選擇一定取向的單晶體，連接到籽晶棒上，進行定向生長。