[發(fā)明專利]太陽能電池制造方法及根據(jù)該制造方法制造的太陽能電池

無效

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• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN102479876A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設計）人: 金元求
• 申請（專利權(quán)）人: 金元求
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0216
• 代理公司: 北京青松知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

技術領域

本發(fā)明涉及太陽能電池制造方法及根據(jù)該制造方法制造的太陽能電池。

背景技術

太陽能電池是將太陽光轉(zhuǎn)換為電能的裝置，使用稱為P型半導體、N型半導體的兩種半導體發(fā)電。

光照射到太陽能電池上，在內(nèi)部產(chǎn)生電子和空穴，產(chǎn)生的電荷向P型半導體、N型半導體移動，并且根據(jù)此現(xiàn)象，在P型半導體與N型半導體之間產(chǎn)生電位差(光電動勢)。此時，若在太陽能電池上連接負載，則會出現(xiàn)電流流動。

根據(jù)所使用的材質(zhì)，太陽能電池大致分為使用硅材質(zhì)的太陽能電池和使用化合物材質(zhì)的太陽能電池；進一步地，硅材質(zhì)的太陽能電池分為單晶及多晶的結(jié)晶系硅和非結(jié)晶系硅。

目前，通常用作太陽能發(fā)電系統(tǒng)的大部分是硅材質(zhì)的太陽能電池。

尤其，由于轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性高，廣泛使用結(jié)晶系硅材質(zhì)的單晶及多晶太陽能電池。

其中，單晶硅材質(zhì)的太陽能電池雖然具有效率高的優(yōu)點，但是，具有制造成本高的缺點。

相對于此，多晶硅材質(zhì)的太陽能電池與單晶硅基板相比，雖然具有效率低的缺點，但是具有制造成本低并可以大量生產(chǎn)容易的優(yōu)點。

如上所述，結(jié)晶系硅材質(zhì)的太陽能電池、尤其是多晶硅材質(zhì)的太陽能電池，由于具有制造成本低并大量生產(chǎn)容易的優(yōu)點，因此需求量增加，為了完善效率低的缺點，需要研究多種解決方案。

另外，硅基板為單晶硅時，以引上法等形成；硅基板為多晶硅時，使用線狀鋸(saw)等，切割由鑄造法形成的硅錠而制造。

但是，在切割硅錠的過程中，基板表面會產(chǎn)生裂紋等表面損傷，若不去除這種表面損傷，則存在太陽能電池轉(zhuǎn)換效率降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供多晶硅材質(zhì)的太陽能電池制造方法、太陽能電池制造方法及根據(jù)該制造方法制造的太陽能電池，通過切割的基板表面去除表面損傷之后，形成多個微突起來降低反射率，從而能夠提高太陽能電池的效率。

為實現(xiàn)所述的本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供太陽能電池制造方法，包括：SDR步驟，從由硅錠切割而成的多晶硅基板的表面去除表面損傷；表面粗化(Texturing)步驟，所述的SDR步驟之后，在基板的受光面上形成多個微突起。

所述SDR步驟之后的基板，優(yōu)選為由各基板的邊緣所形成的形狀的理想面積，與基板的實際表面積的比值大于1.00、小于1.11。

所述SDR步驟之后的基板，優(yōu)選為從各基板表面任意選擇地點選擇1.00cm×1.00cm的正方形時，選擇地點的實際表面積大于1.00cm²、小于1.11cm²。

并且，所述表面粗化步驟之后的基板，優(yōu)選為第一虛擬線的長度與第二虛擬線的長度的比值大于1.00、小于1.11，所述的第一虛擬線的長度是指在基板的邊緣截斷時，連接截面中位于一端的微突起的第一頂點至位于另一端微突起的第二頂點的距離；所述的第二虛擬線的長度是指沿截面連接所述的第一頂點至第二頂點的各微突起頂點的距離。

并且，所述表面粗化步驟之后的基板，優(yōu)選為第一虛擬線的長度與第二虛擬線的長度的比值大于1.00、小于1.11，所述的第一虛擬線的長度是在基板表面的任意地點以1.00cm的直線截斷時，連接截面中位于一端的微突起的第一頂點至位于另一端微突起的第二頂點的距離；所述的第二虛擬線的長度是指沿截面連接所述的第一頂點至第二頂點的各微突起頂點的距離。

所述SDR步驟之后，能夠形成多個凸部，所述的凸部具有相比由所述的表面粗化步驟形成的微突起更寬的寬度。并且，從所述凸部的峰頂至相鄰峰谷的水平距離為W，從頂峰至峰谷的垂直距離稱為H，R＝H/W時，所述SDR步驟之后的基板優(yōu)選為在各基板的邊緣截斷時，沿該截面與各凸部相對應的R平均值大于0.00、小于0.50。

并且，從所述凸部的峰頂至相鄰峰谷的水平距離為W，從峰頂至峰谷的垂直距離為H，R＝H/W時，所述SDR步驟之后的基板優(yōu)選為在各基板表面的任意地點以1.00cm的直線截斷時，該截面中與各凸部對應的R的平均值大于0.00、小于0.50。

所述微突起優(yōu)選形成為其寬度及高度分別小于2μm，所述的微突起更優(yōu)選形成為其寬度及高度分別小于1μm。

所述微突起優(yōu)選形成為其寬度與高度的縱橫比值小于2.0。

所述的SDR步驟可以由如NaOH水溶液或KOH水溶液等堿性水溶液實施。

所述的表面粗化步驟能夠由反應性離子蝕刻實施。

本發(fā)明還提供根據(jù)所述的太陽能電池制造方法所制造的太陽能電池。