[發(fā)明專利]太陽能電池制造方法及根據(jù)該制造方法制造的太陽能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010570941.0
• 申請(qǐng)日: 2010-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN102479876A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金元求
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 金元求
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0216
• 代理公司: 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種太陽能電池制造方法，其特征在于，包括：

SDR步驟，從多晶硅基板的表面去除表面損傷，所述多晶硅基板由硅錠切割而成；

表面粗化步驟，在所述SDR步驟之后，在基板的受光面上形成多個(gè)微突起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述SDR步驟之后的基板，由各基板的邊緣所形成的形狀的理想面積，與基板的實(shí)際表面積的比值大于1.00、小于1.11。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述SDR步驟之后基板，從各基板表面任意選擇的地點(diǎn)中選擇1.00cm×1.00cm的正方形時(shí)，選擇地點(diǎn)的實(shí)際表面積大于1.00cm²、小于1.11cm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述表面粗化步驟之后的基板，第一虛擬線的長(zhǎng)度與第二虛擬線的長(zhǎng)度的比值大于1.00、小于1.11，其中所述的第一虛擬線的長(zhǎng)度是指在基板的邊緣截?cái)鄷r(shí)，連接截面中位于一端的微突起的第一頂點(diǎn)至位于另一端的微突起的第二頂點(diǎn)的距離；所述的第二虛擬線的長(zhǎng)度是指沿截面連接所述的第一頂點(diǎn)至第二頂點(diǎn)的各微突起頂點(diǎn)的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述表面粗化步驟之后的基板，第一虛擬線的長(zhǎng)度與第二虛擬線的長(zhǎng)度的比值大于1.00、小于1.11，其中所述的第一虛擬線的長(zhǎng)度是指在基板表面的任意地點(diǎn)以1.00cm的直線截?cái)鄷r(shí)，連接截面中位于一端的微突起的第一頂點(diǎn)至位于另一端的微突起的第二頂點(diǎn)的距離；所述的第二虛擬線的長(zhǎng)度是指沿截面連接從所述的第一頂點(diǎn)至第二頂點(diǎn)的各微突起的頂點(diǎn)的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述SDR步驟之后，形成多個(gè)凸部，所述的凸部具有比由所述的表面粗化形成的微突起更寬的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，從所述凸部的峰頂至相鄰峰谷的水平距離為W、從峰頂至峰谷的垂直距離為H，R＝H/W時(shí)，所述SDR步驟之后的各基板，在各基板的邊緣截?cái)鄷r(shí)，沿所述截面與各凸部相對(duì)應(yīng)的R的平均值大于0.00、小于0.50。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，從所述凸部的峰頂至相鄰峰谷的水平距離為W，從峰頂至峰谷的垂直距離為H，R＝H/W時(shí)，所述SDR步驟之后的各基板，在各基板表面的任意地點(diǎn)以1.00cm的直線截?cái)鄷r(shí)，該截面中與各凸部對(duì)應(yīng)的R的平均值大于0.00、小于0.50。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述的微突起被形成為寬度及高度分別小于2μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述的微突起被形成為寬度與高度的縱橫比值小于2.0。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的太陽能電池制造方法，其特征在于：所述的SDR由堿性水溶液實(shí)施。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述的堿性水溶液是NaOH水溶液或KOH水溶液。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述的表面粗化步驟由反應(yīng)離子蝕刻實(shí)施。

14.一種根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的太陽能電池制造方法所制造的太陽能電池。

15.一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽能電池制造方法所制造的太陽能電池。