[發明專利]一種用于太陽能電池的擴散方法有效
| 申請號: | 201010570371.5 | 申請日: | 2010-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN102487100A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發明(設計)人: | 汪琴霞;郭建東;楊征;黃炯鈺;梁慧玨;李玲玲 | 申請(專利權)人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B31/06;C30B31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽能電池 擴散 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池的生產加工技術領域,更具體地說,涉及一種用于太陽能電池的擴散方法。
背景技術
近年來,太陽能電池片生產技術不斷進步,生產成本不斷降低,轉換效率不斷提高,使光伏發電的應用日益普及并迅猛發展,逐漸成為電力供應的重要來源。太陽能電池片是一種能力轉換的光電元件,它可以在太陽光的照射下,把光能轉換為電能,實現光伏發電。
太陽能電池片的生產工藝比較復雜,簡單說來,目前的太陽能電池片的生產過程可以分為以下幾個主要步驟:
步驟S11、表面制絨以及化學清洗硅片表面,通過化學反應在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的結構,以增強光的吸收;
步驟S12、擴散制結,將P型的硅片放入擴散爐內,使N型雜質原子硅片表面層,通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散,形成PN結,使電子和空穴在流動后不再回到原處,這樣便形成電流,也就是使硅片具有光伏效應;
步驟S13、等離子刻蝕,去除擴散過程中在硅片邊緣形成的將PN結短路的導電層;
步驟S14、平板PECVD(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,等離子增強的化學蒸發沉積),即沉積減反射膜,利用薄膜干涉原理,減少光的反射,起到鈍化作用,增大電池的短路電流和輸出功率,提高轉換效率;
步驟S15、印刷電極,采用銀漿印刷正電極和背電極,采用鋁漿印刷背場,以收集電流并起到導電的作用;
步驟S16、燒結,在高溫下使印刷的電極與硅片之間形成歐姆接觸。
由于PN結是天陽能電池的核心結構,PN結的質量直接決定著天陽能電池的電性能參數,所以上述擴散制結步驟是太陽能電池生產的關鍵環節。現有技術采用的擴散方式為POCL3液態源擴散,如圖2所示,硅片1位于石英管2內的承載臺3上,1POCL3液態源擴散用到的工藝氣體為氧氣(O2)、氮氣(該氮氣一般流量較大,在5L/Min以上,俗稱大氮,表示為N2)、攜帶氣體(一般采用氮氣,流量在2L/Min以下,俗稱小氮,表示為N2-POCl3),這些氣體通入石英管后在高溫下經過一系列的化學反應后,磷原子擴散進入硅片基底形成摻磷的發射區。
在實施本發明創造的過程中,發明人經過研究發現,現有擴散技術存在改進空間,太陽能電池片的功率平均值和轉換效率還可以進一步改善。
發明內容
本發明實施例提供了一種用于太陽能電池的擴散方法,以進一步改善太陽能電池片的電性能,尤其是改善太陽能電池片的功率平均值和轉換效率。
為實現上述目的,本發明實施例提供了如下技術方案:
一種用于太陽能電池的擴散方法,包括:
A、將硅片放入擴散爐中,升溫至840°~850°;
B、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為0.5∶1的小氮和氧氣,同時通入預設含量的氮氣,擴散爐內溫度保持840°~850°,時間t1為10~20分鐘;
C、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為0.7∶1.2的小氮和氧氣,同時通入預設含量的氮氣,擴散爐內溫度保持850°~860°,時間t2為5~15分鐘;
D、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為1∶1.2的小氮和氧氣,同時通入預設含量的氮氣,擴散爐內溫度保持860°~870°,時間t3為5~10分鐘;
E、擴散過程結束,在擴散爐降溫后取出硅片。
優選的,上述方法的步驟A中,擴散爐中溫度為845°。
優選的,上述方法的步驟B中,擴散爐中溫度為855°。
優選的,上述方法的步驟C中,擴散爐中溫度為865°。
優選的,上述方法中,t1=15分鐘。
優選的,上述方法中,t2=10分鐘。
優選的,上述方法中,所述預設含量為5-10L。
優選的,上述方法中,所述預設含量為8L。
與現有技術相比,本發明技術方案通過三步擴散的方式,在變溫的基礎上提高太陽能的最大功率,提高轉換效率。
附圖說明
通過附圖所示,本發明的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖,重點在于示出本發明的主旨。
圖1為現有技術晶體硅太陽能電池的制作方法流程圖;
圖2為晶體硅太陽能電池制作過程中擴散工藝的示意圖;
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





