[發明專利]一種用于太陽能電池的擴散方法有效
| 申請號: | 201010570371.5 | 申請日: | 2010-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN102487100A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發明(設計)人: | 汪琴霞;郭建東;楊征;黃炯鈺;梁慧玨;李玲玲 | 申請(專利權)人: | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B31/06;C30B31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 214443 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽能電池 擴散 方法 | ||
1.一種用于太陽能電池的擴散方法,其特征在于,包括:
A、將硅片放入擴散爐中,升溫至840°~850°;
B、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為0.5∶1的小氮和氧氣,同時通入預設含量擴散爐內溫度保持840°~850°,時間t1為10~20分鐘;
C、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為0.7∶1.2的小氮和氧氣,同時通入預設含量的氮氣,擴散爐內溫度保持850°~860°,時間t2為5~15分鐘;
D、經擴散爐管向擴散爐通入體積比為1∶1.2的小氮和氧氣,同時通入預設含量的氮氣,擴散爐內溫度保持860°~870°,時間t3為5~10分鐘;
E、擴散過程結束,在擴散爐降溫后取出硅片。
2.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,步驟A中,擴散爐中溫度為845°。
3.根據權利要求2所述的擴散方法,其特征在于,步驟B中,擴散爐中溫度為855°。
4.根據權利要求3所述的擴散方法,其特征在于,步驟C中,擴散爐中溫度為865°。
5.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,t1=15分鐘。
6.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,t2=10分鐘。
7.根據權利要求1所述的擴散方法,其特征在于,所述預設含量為5-10L。
8.根據權利要求7所述的擴散方法,其特征在于,所述預設含量為8L。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





