[發(fā)明專利]內(nèi)嵌式測試模組及其診斷方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010570305.8
• 申請日: 2010-12-02
• 公開（公告）號: CN102467974A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧力銘;邢育肇
• 申請（專利權(quán)）人: 厚翼科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 上海宏威知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31250
• 代理人: 金利琴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種內(nèi)嵌式測試模組及其測試方法，特別是一種適用于測試非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile?Memory，NVM)的內(nèi)嵌式測試模組及其測試方法。

背景技術(shù)

積體電路的發(fā)明，不僅改變了人類的生活型態(tài)，對于國家經(jīng)濟的運作、科技的創(chuàng)新與企業(yè)發(fā)展都息息相關(guān)。隨著科技產(chǎn)業(yè)不斷的進步革新下，由積體電路的架構(gòu)延伸出的消費型電子產(chǎn)品也不斷的創(chuàng)新，在此類型的電子產(chǎn)品中，內(nèi)部元件之中就屬中央處理單元(Central?Processing?Unit，CPU)最為重要之外，用以儲存資料的記憶體(Memory)單元也是不可或缺的元件之一。

記憶體依其功能性及應(yīng)用范圍不同可進一步細分，常見的有靜態(tài)隨機存取記憶體(Static?Random?Access?Memory，SRAM)、動態(tài)隨機存取記憶體(Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM)、唯讀記憶體(Read-only?Memory，ROM)及快閃記憶體(FLASH)等，主要的工作就是儲存程式與資料，避免所需資料遺失造成該電子產(chǎn)品誤動作，而且隨著資料處理量日漸增加，電子產(chǎn)品中的記憶體單元尺寸與數(shù)量也隨之提升，因此，對記憶體工作的狀況與測試也愈顯重要。

已知的非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile?Memory，NVM)，除了讀取(Read)、編寫(Program)及清除等基本操作模式外，隨著記憶體技術(shù)與科技的進步，衍生出許多新穎的非揮發(fā)性記憶體及其操作模式，例如操作在不同電壓、不同頻率等環(huán)境設(shè)定之下。測試工程師將數(shù)個測試命令組合成一個完整的測試流程，而已知的技術(shù)從自動測試設(shè)備(Automatic?Test?Equipment，ATE)逐一輸入測試命令，并藉此建構(gòu)出一套完整的測試流程，但此方法將造成待測記憶體與外部自動測試設(shè)備之間的控制與溝通復(fù)雜度提升，且需耗費較長的測試時間。

爾后已知技術(shù)為了改進逐一輸入測試命令的缺點，在待測記憶體中置入內(nèi)嵌式自我測試電路(Build-In?Self-Test，BIST)，通過測試電路內(nèi)建的測試演算法對待測記憶體進行讀寫動作，此方法雖然降低了與外部自動測試設(shè)備溝通的復(fù)雜度，但如前文所述，隨著記憶體技術(shù)不斷創(chuàng)新，所應(yīng)用的領(lǐng)域也更為廣泛，為了確保記憶體在產(chǎn)品中能正常穩(wěn)定的工作，單單只靠測試演算法不足以達到所需的錯誤涵蓋率(Fault?coverage)，必須在測試階段時更換許多不同測試考量的測試參數(shù)，以及在自動測試設(shè)備操作時額外加入相對應(yīng)的測試命令在測試流程中，而已知技術(shù)中所使用的測試演算法僅使用上述所列的基本操作模式加以排列組合，測試項目僅止于功能性測試(Function?test)，無法有效提高錯誤涵蓋率并縮短整體測試時間。

此外，已知內(nèi)嵌式自我測試電路檢測出記憶體資料錯誤時，仍會繼續(xù)完成測試流程，此技術(shù)的動作將徒增測試時間，且當(dāng)錯誤發(fā)生時無法提供測試者發(fā)生點的相關(guān)資訊，增加測試者除錯(De-Bug)上的難度。

發(fā)明內(nèi)容

因為上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的就是在提供一種內(nèi)嵌式測試模組及其診斷方法，使其不僅能執(zhí)行功能性測試，更涵括了參數(shù)性測試(Parametric?test)，來取代傳統(tǒng)測試機臺的大部分功能、減少測試者除錯上的難度，并縮短檢測記憶體的時間。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的內(nèi)嵌式測試模組，包含：連接埠、記憶體以及測試單元，記憶體用來儲存第一資料并與連接埠電性連接，其中記憶體依據(jù)第一資料測試以形成第二資料，并由連接埠傳輸?shù)诙Y料，另外，測試單元執(zhí)行測試命令或另一測試命令產(chǎn)生第一資料以及對應(yīng)于第一資料的預(yù)期資料，其中，測試單元通過該連接埠傳輸該第一資料給記憶體，并自連接埠接收第二資料，通過與預(yù)期資料比對，當(dāng)?shù)诙Y料與預(yù)期資料不符合時，則立即輸出錯誤資訊給外部的自動測試設(shè)備，其中，測試命令與另一測試命令系編碼為一組碼字(code)，來減少儲存測試命令所需的儲存空間。

且，本發(fā)明的內(nèi)嵌式測試模組更包含(但不局限于)一溫度感測器、一頻率產(chǎn)生器以及一電壓穩(wěn)壓器等參數(shù)產(chǎn)生與測量單元，頻率產(chǎn)生器及該電壓穩(wěn)壓器系電性連接記憶體，溫度感測器電性連接測試單元，其中溫度感測器測量記憶體的溫度，測試單元依據(jù)測試命令設(shè)定頻率產(chǎn)生器的頻率與電壓穩(wěn)壓器的電壓，使記憶體在該頻率電壓下操作。其中，當(dāng)測試單元測試中發(fā)現(xiàn)記憶體發(fā)生錯誤時，溫度、頻率、電壓以及記憶體的存取時間范圍(Access?timing?range)會儲存至記憶體中并且溫度、頻率、電壓以及記憶體存取時間范圍會被輸出至自動測試設(shè)備以進行分類及錯誤分析。