[發明專利]晶體管、制造該晶體管的方法及包括該晶體管的電子裝置有效

申請號：	201010569845.4	申請日：	2010-11-30
公開（公告）號：	CN102130177A	公開（公告）日：	2011-07-20
發明（設計）人：	金善日;樸宰徹;金尚昱;樸永洙;金昌楨	申請（專利權）人：	三星電子株式會社
主分類號：	H01L29/786	分類號：	H01L29/786;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/336
代理公司：	北京銘碩知識產權代理有限公司 11286	代理人：	韓明星;李娜娜
地址：	韓國京畿***	國省代碼：	韓國;KR
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摘要：
搜索關鍵詞：	晶體管制造方法包括電子裝置
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【說明書】：

技術領域

示例實施例涉及一種晶體管、制造該晶體管的方法以及包括該晶體管的電子裝置。

背景技術

在電子裝置中，晶體管被廣泛用作開關器件或驅動器件。具體地講，由于薄膜晶體管可形成在玻璃基底或塑料基底上，所以薄膜晶體管通常用在平板顯示裝置(例如，液晶顯示裝置、有機發光顯示裝置等)的領域中。

為了提高晶體管的工作性能，執行了使用具有相當高的載流子遷移率的氧化物層作為溝道層的方法。這種方法通常用于制造用于平板顯示裝置的薄膜晶體管。

然而，在氧化物層作為溝道層的晶體管(氧化物晶體管)中，氧化物層對環境(例如，光或濕氣)敏感，因此，晶體管的性能不會持續地維持。

發明內容

示例實施例涉及一種晶體管、制造該晶體管的方法及包括該晶體管的電子裝置。

提供了晶體管及制造所述晶體管的方法，抑制了晶體管的性能由于環境(例如，光或濕氣)而導致的變化。

本發明的另外方面將在下面的描述中部分地闡明，并且從描述中部分是清楚的，或者通過本發明的實施可以被理解。

根據示例實施例，一種晶體管包括：溝道層，包括氧化物半導體；源極和漏極，分別接觸溝道層的兩端(或相對的端部)；柵極，與溝道層對應；柵極絕緣層，設置在溝道層和柵極之間；第一鈍化層，形成為覆蓋源極、漏極、柵極、柵極絕緣層和溝道層；第二鈍化層，形成在第一鈍化層上且包含氟(F)。

第一鈍化層可包括從由氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、有機層和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。第一鈍化層可不包含氟(F)。

第二鈍化層可包括從由摻雜F的氧化硅層、摻雜F的氮化硅層、摻雜F的氮氧化硅層和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。

第一鈍化層的厚度可在大約?至大約?的范圍內。第二鈍化層的厚度可在大約?至大約?的范圍內。

氧化物半導體可包括ZnO類氧化物。ZnO類氧化物可為復合氧化物。復合氧化物可包括從由銦(In)、鋁(Al)、鎵(Ga)、鈦(Ti)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釔(Y)、鉭(Ta)、鉻(Cr)和它們的組合組成的組中選擇的至少一種元素。

柵極絕緣層可包括從由氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層和高k介電材料層和它們的組合組成的組中選擇的至少一層。

柵極絕緣層可包括從由摻雜F的氧化硅層、摻雜F的氮化硅層、摻雜F的氮氧化硅層和摻雜F的高k介電材料層和它們的組合組成的組中選擇的至少一層。柵極可設置在溝道層上方?？蛇x擇地，柵極可設置在溝道層下方。

根據示例實施例，電子裝置(例如，平板顯示裝置)包括晶體管。

根據示例實施例，一種制造晶體管的方法包括的步驟有：形成包括氧化物半導體的溝道層；形成源極和漏極，所述源極和漏極分別接觸溝道層的兩端(相對的端部)；形成與溝道層對應的柵極；形成設置在溝道層與柵極之間的柵極絕緣層；形成第一鈍化層以覆蓋源極、漏極、柵極、柵極絕緣層和溝道層；在第一鈍化層上形成包含氟(F)的第二鈍化層。

第一鈍化層可形成為不包含氟(F)。

可利用包括含氟(F)的第一氣體的反應氣體執行化學氣相沉積(CVD)來形成第二鈍化層。含F的第一氣體可包括從由CF₄、SF₆、CHF₃、F₂、C₂F₆、NF₃和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。反應氣體還可包括含硅(Si)的第二氣體和含氮(N)的第三氣體中的至少一種。含硅(Si)的第二氣體可包括從由SiF₄、SiH₄、SiH₂和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。含氮(N)的第三氣體可包括從由NH₃、N₂O、N₂、NO和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。