[發明專利]晶體管、制造該晶體管的方法及包括該晶體管的電子裝置

有效

• 申請號: 201010569845.4
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102130177A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 金善日;樸宰徹;金尚昱;樸永洙;金昌楨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種晶體管，所述晶體管包括：

溝道層；

源極和漏極，分別接觸溝道層的相對的兩端；

柵極，與溝道層對應；

柵極絕緣層，位于溝道層和柵極之間；

第一鈍化層，覆蓋源極、漏極、柵極、柵極絕緣層和溝道層；

第二鈍化層，包含氟且位于第一鈍化層上。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，溝道層包括氧化物半導體。

3.根據權利要求2所述的晶體管，其中，氧化物半導體包括ZnO類氧化物。

4.根據權利要求3所述的晶體管，其中，ZnO類氧化物是包括從由銦、鋁、鎵、鈦、錫、鋯、鉿、釔、鉭、鉻和它們的組合組成的組中選擇的至少一種元素的復合氧化物。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中，第一鈍化層包括從由氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、有機層和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中，第二鈍化層包括從由摻雜F的氧化硅層、摻雜F的氮化硅層、摻雜F的氮氧化硅層和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。

7.根據權利要求1所述的晶體管，其中，第一鈍化層具有在至的范圍內的厚度。

8.根據權利要求1所述的晶體管，其中，第二鈍化層具有在至的范圍內的厚度。

9.根據權利要求1所述的晶體管，其中，柵極絕緣層包括從由氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層和高k介電材料層和它們的組合組成的組中選擇的至少一層。

10.根據權利要求1所述的晶體管，其中，柵極絕緣層包括從由摻雜F的氧化硅層、摻雜F的氮化硅層、摻雜F的氮氧化硅層和摻雜F的高k介電材料層和它們的組合組成的組中選擇的至少一層。

11.根據權利要求1所述的晶體管，其中，柵極在溝道層上方。

12.根據權利要求1所述的晶體管，其中，柵極在溝道層下方。

13.根據權利要求1所述的晶體管，其中，第一鈍化層中不包含氟。

14.一種平板顯示裝置，所述平板顯示裝置包括根據權利要求1所述的晶體管。

15.一種制造晶體管的方法，所述方法包括的步驟有：

形成溝道層；

形成源極和漏極，所述源極和漏極分別接觸溝道層的相對的兩端；

形成與溝道層對應的柵極；

在溝道層與柵極之間形成柵極絕緣層；

形成覆蓋源極、漏極、柵極、柵極絕緣層和溝道層的第一鈍化層；

在第一鈍化層上形成包含氟的第二鈍化層。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，形成溝道層的步驟包括使用氧化物半導體。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，氧化物半導體包括ZnO類氧化物。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，ZnO類氧化物是包括從由銦、鋁、鎵、鈦、錫、鋯、鉿、釔、鉭、鉻和它們的組合組成的組中選擇的至少一種元素的復合氧化物。

19.根據權利要求15所述的方法，其中，形成第二鈍化層的步驟包括利用包括含氟的第一氣體的反應氣體執行化學氣相沉積法。

20.根據權利要求19所述的方法，其中，含F的第一氣體包括從由CF₄、SF₆、CHF₃、F₂、C₂F₆、NF₃和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。

21.根據權利要求19所述的方法，其中，反應氣體還包括含硅的第二氣體和含氮的第三氣體中的至少一種。

22.根據權利要求21所述的方法，其中，含Si的第二氣體包括從由SiF₄、SiH₄、SiH₂和它們的組合組成的組中選擇的至少一種。