[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010569402.5
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN102487036A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，特征尺寸越來越小，集成電路的集成性越來越好，所述集成電路通常為一具有多層半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體層之間通過互連結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電連接。在公開號為CN101378047A的中國專利申請中就公開了一種互連結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。

參考圖1至參考圖2，示出了現(xiàn)有技術(shù)互連結(jié)構(gòu)制造方法一實(shí)施例形成的互連結(jié)構(gòu)的側(cè)面示意圖。

如圖1所示，所述互連結(jié)構(gòu)的制造方法包括：在襯底上形成介質(zhì)層102，在所述介質(zhì)層102中形成插塞101，形成位于介質(zhì)層102上且覆蓋所述插塞101的阻擋層103，在所述阻擋層103上依次形成低K介質(zhì)層104、硬掩膜低K介質(zhì)層105、氧化層106、硬掩膜層107、抗反射層108、光刻膠層，通過光刻圖形化所述光刻膠層，形成光刻膠圖案109，以所述光刻膠圖案109為掩膜依次蝕刻所述抗反射層108、硬掩膜層107，以形成硬掩膜層開口。

去除光刻膠圖案109，以所述硬掩膜層開口為掩膜依次蝕刻氧化層106、硬掩膜低K介質(zhì)層105、低K介質(zhì)層104直至露出阻擋層103，形成溝槽；

去除抗反射層108和硬掩膜層107，之后，通過電鍍方法在所述溝槽中填充金屬層，以形成與插塞101電連接的第二插塞。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用化學(xué)溶液進(jìn)行濕法清洗法去除抗反射層和硬掩膜層。由于相對于硬掩膜層107和低K介質(zhì)層104，化學(xué)溶液對氧化層106和硬掩膜低K介質(zhì)層105具有較大的選擇比，因此在濕法清洗的過程中，容易在硬掩膜層107和低K介質(zhì)層104之間形成由氧化層106和硬掩膜低K介質(zhì)層105圍成的凹面(如圖2虛線框所示)。

所述凹面會增加后續(xù)方法填充金屬層的難度，嚴(yán)重的還會造成互連結(jié)構(gòu)電性連接的失敗，造成良率的下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種制造良率較高的互連結(jié)構(gòu)制造方法。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻擋層、低K介質(zhì)層、硬掩膜低K介質(zhì)層、氧化層、硬掩膜層和光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜蝕刻所述硬掩膜層，形成位于硬掩膜層中、且位于插塞上的開口；去除光刻膠圖形，依次蝕刻所述開口露出的氧化層、硬掩膜低K介質(zhì)層、低K介質(zhì)層，直至露出所述阻擋層；去除所述硬掩膜層，所述去除工藝相對于氧化層和硬掩膜低K介質(zhì)層，對硬掩膜層具有較大的選擇比；進(jìn)行清洗；向所述開口中填充導(dǎo)電材料。

所述去除所述硬掩膜層的步驟中，所述去除工藝為蝕刻。

所述硬掩膜的材料為氮化鈦，所述氧化層的材料為正硅酸乙酯，所述去除所述硬掩膜層的步驟包括：通過氯氣等離子體去除所述硬掩膜層。

通過等離子體產(chǎn)生裝置生成氯氣等離子體。

向所述等離子體產(chǎn)生裝置中通入流量為100～700sccm的氯氣，以形成氯氣等離子體。

向所述等離子體產(chǎn)生裝置中加載功率為800～1500W的射頻信號，以形成氯氣等離子體。

所述等離子體產(chǎn)生裝置中的氣壓為10～100mtorr，以形成氯氣等離子體。

所述向開口中填充導(dǎo)電材料的步驟包括：通過電鍍方法向開口中填充導(dǎo)電材料。

還包括：在向所述開口中填充導(dǎo)電材料進(jìn)行清洗，所述進(jìn)行清洗的步驟包括：通過化學(xué)溶液進(jìn)行濕法清洗。

所述依次蝕刻所述開口露出的氧化層、硬掩膜低K介質(zhì)層、低K介質(zhì)層，直至開口露出所述阻擋層的步驟包括：采用干刻法進(jìn)行蝕刻。

在所述插塞上形成硬掩膜層之后，在形成光刻膠層之前，在所述硬掩膜層上形成抗反射層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

采用對硬掩膜層具有較大的選擇比的去除工藝，可避免在氧化層和硬掩

膜低K介質(zhì)層中形成凹面，減小了向開口中填充導(dǎo)電材料的難度，避免

造成互連結(jié)構(gòu)電性連接的失敗。

附圖說明

圖1至圖2是現(xiàn)有技術(shù)互連結(jié)構(gòu)制造方法一實(shí)施例形成的互連結(jié)構(gòu)的側(cè)面示意圖；

圖3是本發(fā)明互連結(jié)構(gòu)制造方法一實(shí)施例的示意圖；

圖4至圖10是本發(fā)明互連結(jié)構(gòu)制造方法形成的互連結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。