[發明專利]互連結構的制造方法

有效

• 申請號: 201010569402.5
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN102487036A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種互連結構的制造方法，其特征在于，包括：提供插塞；在所述插塞上依次形成阻擋層、低K介質層、硬掩膜低K介質層、氧化層、硬掩膜層和光刻膠層；圖形化所述光刻膠層，形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜蝕刻所述硬掩膜層，形成位于硬掩膜層中、且位于插塞上的開口；去除光刻膠圖形，依次蝕刻所述開口露出的氧化層、硬掩膜低K介質層、低K介質層，直至露出所述阻擋層；去除所述硬掩膜層，所述去除工藝相對于氧化層和硬掩膜低K介質層，對硬掩膜層具有較大的選擇比；向所述開口中填充導電材料。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述硬掩膜層的步驟中，所述去除工藝為蝕刻。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜的材料為氮化鈦，所述氧化層的材料為正硅酸乙酯，所述去除所述硬掩膜層的步驟包括：通過氯氣等離子體去除所述硬掩膜層。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，通過等離子體產生裝置生成氯氣等離子體。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，向所述等離子體產生裝置中通入流量為100～700sccm的氯氣，以形成氯氣等離子體。

6.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，向所述等離子體產生裝置中加載功率為800～1500W的射頻信號，以形成氯氣等離子體。

7.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述等離子體產生裝置中的氣壓為10～100mtorr，以形成氯氣等離子體。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向開口中填充導電材料的步驟包括：通過電鍍方法向開口中填充導電材料。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：在向所述開口中填充導電材料進行清洗，所述進行清洗的步驟包括：通過化學溶液進行濕法清洗。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述依次蝕刻所述開口露出的氧化層、硬掩膜低K介質層、低K介質層，直至開口露出所述阻擋層的步驟包括：采用干刻法進行蝕刻。

11.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述插塞上形成硬掩膜層之后，在形成光刻膠層之前，在所述硬掩膜層上形成抗反射層。