[發明專利]晶片的加工方法

無效

• 申請號: 201010568977.5
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN102157446A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 臺井曉治
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02;B28D5/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

技術領域

本發明涉及將晶片分割成一個個器件的晶片的加工方法。

背景技術

半導體晶片在表面具有器件區域和圍繞器件區域的外周剩余區域，所述器件區域是在由形成為格子狀的分割預定線劃分出的區域中分別形成有IC(integrated?circuit：集成電路)、LSI(large-scale?integration：大規模集成電路)等器件的區域，在對該半導體晶片的背面進行磨削而使其減薄至預定的厚度之后，利用切割裝置(切削裝置)沿著分割預定線進行切削，由此將半導體晶片分割成一個個器件，分割出的器件廣泛利用于移動電話機、個人計算機等各種電氣設備。

然而，在半導體晶片中，為了防止在半導體晶片的前半部分工藝中晶片破裂或產生灰塵，在晶片的外周形成有倒角部。因此，當對晶片的背面進行磨削而使晶片減薄時，形成于晶片的外周的倒角部形成為銳利的刀刃(knife?edge)狀，存在晶片變得容易破損且操作者有可能因刀刃而負傷的問題。因此，在日本特許第3515917號公報中提出有在對晶片的背面進行磨削之前除去形成于晶片外周的倒角部的技術。

專利文獻1：日本特許第3515917號公報

但是，如果為了將倒角部從晶片的外周除去而像專利文獻1所公開的那樣將切削刀具的切削刃定位于晶片的表面來對晶片進行切削，則存在形成于晶片表面的器件被切屑污染的問題。

此外，如果將晶片的外周切削成圓形而除去倒角部，則晶片的外周形成為垂直的截面，因此，存在當在磨削工序中對晶片的背面進行磨削時晶片的外周容易受到磨削磨具的沖擊而產生缺損的問題。

發明內容

本發明就是鑒于這種問題而做出的，其目的在于提供一種晶片的表面不會被切屑污染且不會在晶片的外周產生缺損的晶片的加工方法。

根據本發明，提供一種如下的晶片的加工方法，該晶片在表面具有器件區域和圍繞所述器件區域的外周剩余區域，所述器件區域是在由形成為格子狀的分割預定線劃分出的區域中形成有多個器件的區域，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序：保護帶粘貼工序，在該保護帶粘貼工序中，將保護帶粘貼于晶片的表面；輔助環形成工序，在該輔助環形成工序中，利用卡盤工作臺吸引保持所述晶片的所述保護帶側，將切削刀具從晶片的背面定位在所述器件區域與所述外周剩余區域之間的邊界部，并對晶片進行切削，從而形成環狀的切削槽，并使所述外周剩余區域作為輔助環殘留；以及背面磨削工序，在該背面磨削工序中，對晶片的與所述器件區域對應的背面和與所述外周剩余區域對應的背面進行磨削，從而將晶片形成為預定的厚度。

根據本發明，在將保護帶粘貼于晶片的表面之后，將切削刀具從晶片的背面定位在器件區域與外周剩余區域之間的邊界部并對晶片進行切削，從而形成環狀的切削槽，使器件區域與外周剩余區域分離并使外周剩余區域作為輔助環殘留，因此晶片的表面不會被切屑污染。

此外，由于在外周剩余區域圍繞器件區域地粘貼于保護帶的狀態下對晶片的背面進行磨削，因此磨削磨具的沖擊在晶片的器件區域的外周邊緣部分被緩和，不會在晶片的外周產生缺損。

附圖說明

圖1是表示保護帶粘貼工序的立體圖。

圖2是表示利用卡盤工作臺保持晶片的晶片保持工序的立體圖。

圖3是表示利用切削刀具將器件區域與外周剩余區域之間的邊界部切削成圓形的輔助環形成工序的立體圖。

圖4是表示輔助環形成工序的剖視圖。

圖5是表示背面磨削工序的立體圖。

圖6是背面磨削工序之后的晶片的剖視圖。

標號說明

10：卡盤工作臺；11：半導體晶片；12：切削單元；15：器件；17：器件區域；18：切削刀具；19：外周剩余區域；20：環狀切削槽；22：倒角部；23：保護帶；24：卡盤工作臺；26：磨輪；34：磨削磨具。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。圖1所示的半導體晶片11例如由厚度為700μm的硅晶片構成，在其表面11a呈格子狀地形成有多條分割預定線(間隔道)13，并且，在由所述多條分割預定線13劃分出的多個區域中分別形成有IC、LSI等器件15。

以這種方式構成的晶片11具備：形成有器件15的器件區域17；和圍繞器件區域17的外周剩余區域19。并且，在晶片11的外周形成有作為表示硅晶片的結晶方位的標記的凹口21。