[發(fā)明專利]晶片的加工方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010568977.5
• 申請(qǐng)日: 2010-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102157446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 臺(tái)井曉治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/02;B28D5/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種晶片的加工方法，該晶片在表面具有器件區(qū)域和圍繞所述器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述器件區(qū)域是在由形成為格子狀的分割預(yù)定線劃分出的區(qū)域中形成有多個(gè)器件的區(qū)域，所述晶片的加工方法的特征在于，

所述晶片的加工方法包括以下工序：

保護(hù)帶粘貼工序，在該保護(hù)帶粘貼工序中，將保護(hù)帶粘貼于晶片的表面；

輔助環(huán)形成工序，在該輔助環(huán)形成工序中，利用卡盤(pán)工作臺(tái)吸引保持所述晶片的所述保護(hù)帶側(cè)，將切削刀具從晶片的背面定位在所述器件區(qū)域與所述外周剩余區(qū)域之間的邊界部，并對(duì)晶片進(jìn)行切削，從而形成環(huán)狀的切削槽，并使所述外周剩余區(qū)域作為輔助環(huán)殘留；以及

背面磨削工序，在該背面磨削工序中，對(duì)晶片的與所述器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面和與所述外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削，從而將晶片形成為預(yù)定的厚度。