[發明專利]晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 201010568261.5
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102479721A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 陳振興;葉彬;何有豐;涂火金
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/316;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面上形成有柵極結構；

在所述襯底表面形成含有開口的硬掩膜層，所述硬掩膜層覆蓋所述柵極結構的頂部和兩側，所述開口位于柵極結構兩側；

以所述硬掩膜層為掩膜刻蝕所述襯底，在柵極結構兩側形成溝槽；

形成填充滿所述溝槽的應力層；

在所述應力層表面形成保護層；

去除所述硬掩膜層。

2.依據權利要求1的晶體管形成方法，其特征在于，所述保護層的材料是二氧化硅和氧化鍺的組合，或是氧化硅、氧化鍺、硅鍺氧化物的組合。

3.依據權利要求2的晶體管形成方法，其特征在于，采用快速熱氧化工藝形成所述保護層。

4.依據權利要求2的晶體管形成方法，其特征在于，采用爐管氧化工藝形成所述保護層。

5.依據權利要求3或4的晶體管形成方法，其特征在于，形成保護層的工藝的工藝參數是：溫度700-1150℃，壓強100-800Torr，通入氣體為氧氣，氣體流量為0.1-100slm。

6.依據權利要求5的晶體管形成方法，其特征在于，所述保護層的沉積時間為30-90s。

7.依據權利要求1的晶體管形成方法，其特征在于，所述保護層的厚度為14-20埃。

8.依據權利要求1的晶體管形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料是氮化硅。

9.依據權利要求8的晶體管形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜層的工藝是濕法去除工藝。

10.依據權利要求1的晶體管形成方法，其特征在于，所述應力層的材料是硅鍺。

11.依據權利要求10的晶體管形成方法，其特征在于，采用外延工藝形成所述應力層。

12.依據權利要求10的晶體管形成方法，其特征在于，形成應力層的外延工藝所采用的反應氣體至少包括含硅氣體和含鍺氣體。

13.依據權利要求12的晶體管形成方法，其特征在于，所述含硅氣體包括硅甲烷、硅乙烷或二氯硅甲烷。

14.依據權利要求12的晶體管形成方法，其特征在于，所述含鍺氣體包括鍺烷。

15.一種晶體管，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底表面上形成有柵極結構；

位于柵極兩側的溝槽，以及填充滿所述溝槽的應力層；

位于所述應力層表面的保護層。

16.依據權利要求15的晶體管，其特征在于，對于PMOS晶體管，所述應力層的材料是硅鍺。

17.依據權利要求15的晶體管，其特征在于，對于NMOS晶體管，所述應力層的材料是碳硅。

18.依據權利要求15的晶體管，其特征在于，所述保護層通過快速熱氧化工藝或者爐管氧化工藝形成。

19.依據權利要求15的晶體管，其特征在于，所述保護層的厚度是14-20埃。