[發明專利]晶體管的制作方法有效
| 申請號： | 201010565896.X | 申請日： | 2010-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN102479716A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發明（設計）人： | 康蕓;李敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/311;H01L21/283;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 制作方法 | ||
1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有犧牲層、偽柵極，所述犧牲層和偽柵極兩側的半導體襯底上形成有側墻；
在所述偽柵極和側墻兩側的半導體襯底內形成源區和漏區；
在所述半導體襯底上形成與所述偽柵極齊平的層間介質層；
去除所述偽柵極和犧牲層，形成露出所述半導體襯底的溝槽；
在所述溝槽底部形成柵介質層；
在所述溝槽側壁和柵介質層上形成高K介質層；
在所述溝槽內的高K介質層上形成金屬柵極，所述金屬柵極與所述層間介質層齊平。
2.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底的材質為硅，所述犧牲層的材質為氧化硅，所述側墻的材質為氮化硅。
3.如權利要求2所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述偽柵極的去除工藝為等離子體刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝。
4.如權利要求2所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的去除工藝為等離子體刻蝕工藝。
5.如權利要求4所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝對所述犧牲層和半導體襯底的刻蝕選擇比大于15∶1，所述等離子體刻蝕工藝對所述犧牲層和側墻的刻蝕選擇比大于5∶1。
6.如權利要求5所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝采用氮離子、氟離子和氫離子組成的等離子基團作為刻蝕離子。
7.如權利要求6所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝的刻蝕氣體為NxHy和NmFn的混合氣體。
8.如權利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝中NxHy和NmFn的體積流量比為3∶1～10∶1。
9.如權利要求5所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述等離子刻蝕工藝包括：
主刻蝕步驟，利用所述等離子基團刻蝕所述犧牲層，形成反應物質；
退火步驟，將所述主刻蝕步驟中的反應物質加熱至揮發；
清潔步驟，將所述退火步驟中產生的氣體去除。
10.如權利要求9所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟的溫度小于100攝氏度。
11.如權利要求9所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火步驟的溫度大于100攝氏度小于400攝氏度。
12.如權利要求9所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述反應物質為水、氟化硅氨，所述水在所述退火步驟中變為水蒸氣，所述氟化硅氨在所述退火步驟中分解為四氟化硅氣體和氨氣的混合氣體。
13.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵介質層的材質為氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
