[發(fā)明專利]具有高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010564138.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-11-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102479849A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張一熙;劉吉人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/042 | 分類號(hào): | H01L31/042;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0336;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京市維詩(shī)律師事務(wù)所 11393 | 代理人: | 楊安進(jìn) |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 光電 轉(zhuǎn)換 效率 太陽(yáng)能電池 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池技術(shù),特別涉及一種形成有圖案層的透明導(dǎo)電層的,該圖案層可將射入光線水平導(dǎo)向,進(jìn)而增加吸光量的具有高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
自二十世紀(jì)延燒到二十一世紀(jì),隨著人類生活的進(jìn)步,對(duì)于能源的需求是愈來(lái)愈高,但地球所蘊(yùn)含的能源將日漸枯竭,全球能源危機(jī)的陰影一直徘徊不去,潛藏在生活中隨時(shí)都有可能爆發(fā)。因此,全球致力于各種替代能源的研發(fā)與開創(chuàng),其中太陽(yáng)能作為綠色能源開發(fā)利用是最活躍的領(lǐng)域。據(jù)估計(jì),每年由太陽(yáng)照射到地球表面的能量約為地球上所有人每年消耗的一百萬(wàn)倍,即,若能充分利用百分之一的太陽(yáng)能,并以10%的轉(zhuǎn)換率使其轉(zhuǎn)換為電能,即可滿足我們的需求。
因此,太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)應(yīng)運(yùn)而生,太陽(yáng)能發(fā)電是利用半導(dǎo)體材料所制作出的太陽(yáng)能電池,太陽(yáng)能電池是半導(dǎo)體吸收光量或光子后,電子被激發(fā)并發(fā)生躍遷,激發(fā)的電子驅(qū)動(dòng)電路從而形成電池。目前使用的各式太陽(yáng)能電池材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體種類或三五族、二六族的元素鏈接的材料。其中以硅材料最為普遍,因?yàn)樗荌C半導(dǎo)體的主要原料,且人們對(duì)于硅原料的制作及組件加工技術(shù)已累積相當(dāng)成熟的經(jīng)驗(yàn),是很理想的太陽(yáng)能電池材料。但是以硅晶做成的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率,由于材料本身的光譜吸收能力的限制、且平坦的硅晶表面會(huì)使部分太陽(yáng)光反射而造成損失等因素,讓太陽(yáng)能電池?zé)o法百分之百將光能轉(zhuǎn)換成電能輸出,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率無(wú)法提升。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu),從而解決現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu),包括:
一透明基板;
一非晶硅層,其設(shè)于該透明基板上;
一三五族多晶半導(dǎo)體層,其設(shè)于該非晶硅層上;及
一透明導(dǎo)電層,其設(shè)于該三五族半導(dǎo)體層上,且該透明導(dǎo)電層的表面上形成有一圖案層,該圖案層將入射光線水平導(dǎo)向至該三五族多晶半導(dǎo)體層中。
其中,該圖案是金字塔型、連續(xù)V型槽、不連續(xù)V型槽或波浪型。
該透明導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電氧化物。
該透明導(dǎo)電氧化物的材料是氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫。
該三五族多晶半導(dǎo)體層包含第一型半導(dǎo)體層、一本質(zhì)型半導(dǎo)體層、一第二型半導(dǎo)體層。
其中,當(dāng)該第一型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體時(shí),該第二型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體;以及當(dāng)該第一型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體時(shí),該第二型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體。
該透明基板的材質(zhì)為玻璃、石英、透明塑料、單晶氧化鋁或可撓性透明材質(zhì)。
本發(fā)明還提供了一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池的制作方法,其特征在于,包括下列步驟:
提供一透明基板;
在該透明基板上形成一非晶硅層;
在該非晶硅層上形成一三五族多晶半導(dǎo)體層;及
在一透明導(dǎo)電層的表面上形成一圖案層,且在該三五族多晶半導(dǎo)體層上形成該透明導(dǎo)電層,通過(guò)該圖案層將入射光線水平導(dǎo)向至該三五族多晶半導(dǎo)體層中。
其中,該圖案是金字塔型、連續(xù)V型槽、不連續(xù)V型槽或波浪型。
該透明導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電氧化物。
該透明導(dǎo)電氧化物的材料為氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫。
形成該三五族多晶半導(dǎo)體層的步驟包含:
在該非晶硅層上形成一第一型半導(dǎo)體層;
在該第一型半導(dǎo)體層上形成一本質(zhì)型半導(dǎo)體層;及
在該本質(zhì)型半導(dǎo)體層上形成一第二型半導(dǎo)體層。
其中,當(dāng)該第一型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體時(shí),該第二型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體;以及當(dāng)該第一型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體時(shí),該第二型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體。
該透明基板的材質(zhì)為玻璃、石英、透明塑料、單晶氧化鋁或可撓性透明材質(zhì)。
本發(fā)明的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)成本低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且能提高光吸收性與光電轉(zhuǎn)換效率,可吸收不同波長(zhǎng)的入射光線。本發(fā)明的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)是利用表面上形成的具有圖案層來(lái)導(dǎo)向光的方向,通過(guò)圖案層的導(dǎo)向來(lái)提高吸光量,從而克服入射光線反射或穿透率不足的問(wèn)題,進(jìn)而達(dá)到提高光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1的局部放大結(jié)構(gòu)剖視圖;
圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視圖;
圖4a為本發(fā)明的圖案層為連續(xù)V型槽的結(jié)構(gòu)示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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