[發明專利]具有高光電轉換效率的太陽能電池結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201010564138.6
• 申請日: 2010-11-24
• 公開（公告）號: CN102479849A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 張一熙;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/0336;H01L31/20
• 代理公司: 北京市維詩律師事務所 11393
• 代理人: 楊安進

1.一種具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，包括：

一透明基板；

一非晶硅層，其設于該透明基板上；

一三五族多晶半導體層，其設于該非晶硅層上；及

一透明導電層，其設于該三五族半導體層上，且該透明導電層的表面上形成有一圖案層，該圖案層將入射光線水平導向至該三五族多晶半導體層中。

2.如權利要求1所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，該圖案是金字塔型、連續V型槽、不連續V型槽或波浪型。

3.如權利要求1所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，該透明導電層為透明導電氧化物。

4.如權利要求3所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，該透明導電氧化物的材料是氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫。

5.如權利要求1所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，該三五族多晶半導體層包含第一型半導體層、一本質型半導體層、一第二型半導體層。

6.如權利要求5所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，當該第一型半導體層為P型半導體時，該第二型半導體層為N型半導體；以及當該第一型半導體層為N型半導體時，該第二型半導體層為P型半導體。

7.如權利要求1所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池結構，其特征在于，該透明基板的材質為玻璃、石英、透明塑料、單晶氧化鋁或可撓性透明材質。

8.一種具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一透明基板；

在該透明基板上形成一非晶硅層；

在該非晶硅層上形成一三五族多晶半導體層；及

在一透明導電層的表面上形成一圖案層，且在該三五族多晶半導體層上形成該透明導電層，通過該圖案層將入射光線水平導向至該三五族多晶半導體層中。

9.如權利要求8所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該圖案是金字塔型、連續V型槽、不連續V型槽或波浪型。

10.如權利要求8所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該透明導電層為透明導電氧化物。

11.如權利要求10所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該透明導電氧化物的材料為氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫。

12.如權利要求8所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，形成該三五族多晶半導體層的步驟中，包含：

在該非晶硅層上形成一第一型半導體層；

在該第一型半導體層上形成一本質型半導體層；及

在該本質型半導體層上形成一第二型半導體層。

13.如權利要求12所述的具有高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，當該第一型半導體層為P型半導體時，該第二型半導體層為N型半導體；以及當該第一型半導體層為N型半導體時，該第二型半導體層為P型半導體。

14.如權利要求8所述的具高光電轉換效率的太陽能電池的制作方法，其特征在于，該透明基板的材質為玻璃、石英、透明塑料、單晶氧化鋁或可撓性透明材質。