[發明專利]噴射嘴與晶圓的對中裝置及方法無效
| 申請號: | 201010562484.0 | 申請日: | 2010-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN102082075A | 公開(公告)日: | 2011-06-01 |
| 發明(設計)人: | 萬曉強;吳儀 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴射 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體設備部件調整及檢測技術領域,特別涉及一種噴射嘴與晶圓的對中裝置及方法。
背景技術
隨著集成電路的迅速發展,其關鍵尺寸愈來愈小,典型的工藝尺寸已超越了32nm,這同時縮小了相似結構的Die(半導體晶圓分割而成的小片)的尺寸,目前半導體行業單晶圓濕法處理系統(如濕法刻蝕)的清洗系統中由于化學噴射嘴與晶圓物理中心的偏差而引起中心區域刻蝕或清洗不足的案例越來越多,晶圓中心區域的良率下降直接影響到工廠的整體良率,這一問題在較小尺寸的半導體工藝中更為嚴重。在單晶圓濕法清洗腐蝕系統中,由于裝配關系復雜,很難只靠加工精度來保證噴射嘴和晶圓的物理中心一致。現有的方法必須使用液體噴射、人眼目測的方式來保證噴射嘴和晶圓的物理中心一致,這種方式受晶圓處理腔體結構等因素的影響,無法準確判斷噴射嘴的位置,同時存在液體濺射引起的人身安全隱患。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:如何精確判斷噴射嘴的位置,保證噴射嘴和晶圓的物理中心一致;如何降低液體濺射所帶來的人身安全隱患;如何獲得噴射嘴的實際尺寸。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明提供了一種噴射嘴與晶圓的對中裝置,包括:晶圓裝載模塊、位置檢測模塊、參數設置模塊和位置調整模塊,
所述晶圓裝載模塊用于裝載晶圓;
所述位置檢測模塊,放置在所述晶圓裝載模塊上,用于實時地識別噴射嘴的位置及輪廓,獲取所述噴射嘴的位置及輪廓數據,并將所述位置及輪廓數據發送至所述參數設置模塊;
所述參數設置模塊,用于根據所述位置及輪廓數據設置所述噴射嘴的參考點,將設置的所述噴射嘴的參考點的位置參數傳輸給所述位置調整模塊,所述位置參數為所述噴射嘴的參考點在所述晶圓裝載模塊上表面所在平面上的投影相對于所述晶圓裝載模塊上表面幾何中心的位置;
所述位置調整模塊,用于根據接收到的所述位置參數,調整所述噴射嘴的位置,使所述噴射嘴的參考點與所述晶圓裝載模塊上表面的幾何中心對準。
其中,所述晶圓裝載模塊為外徑與晶圓外徑相同的圓盤。
其中,所述裝置還包括顯示提示模塊,用于實時地以圖像信號的形式顯示和/或以音頻信號的形式提示所述噴射嘴的參考點的位置參數。
其中,所述裝置還包括數據處理模塊,所述位置檢測模塊還用于檢測所述噴射嘴所在平面至所述晶圓裝載模塊上表面的距離參數,并將檢測到的距離參數以及所述噴射嘴的輪廓數據發送至所述數據處理模塊;
所述數據處理模塊,用于對接收到的所述噴射嘴的輪廓數據和所述距離參數進行處理,得到所述噴射嘴的實際尺寸,并將所述噴射嘴的實際尺寸發送至所述顯示提示模塊。
其中,所述顯示提示模塊還用于以圖像信號的形式實時地顯示所述噴射嘴的實際尺寸。
其中,所述位置調整模塊通過調整所述噴射嘴所在的噴射臂的徑向長度和/或水平方向旋轉所述噴射臂,使所述噴射嘴的參考點與所述晶圓裝載模塊的幾何中心對準。
其中,所述位置檢測模塊與所述參數設置模塊通過TCP/IP、WIFI,藍牙和RS232/485中任意一種方式進行數據傳輸。
其中,所述裝置還包括電源,用于為所述位置檢測模塊供電。
本發明還公開了一種利用噴射嘴與晶圓的對中裝置進行噴射嘴與晶圓對中的方法,包括以下步驟:
S1:通過所述位置檢測模塊識別噴射嘴的位置及輪廓,獲取所述噴射嘴的位置及輪廓數據,并將所述位置及輪廓數據發送至所述參數設置模塊;
S2:根據所述位置及輪廓數據,設置噴射嘴的參考點,并將設置的所述噴射嘴的參考點的位置參數傳輸給位置調整模塊;
S3:所述位置調整模塊根據所述位置參數調整所述噴射嘴,使所述噴射嘴的參考點與所述晶圓裝載模塊的幾何中心對準;
S4:將所述晶圓裝載模塊及位置檢測模塊移開,并將晶圓放置在所述晶圓裝載模塊的初始位置。
其中,步驟S1之前,還包括步驟:判斷所述噴射嘴是否在所述位置檢測模塊的檢測范圍之內,若是,則執行步驟S1;否則通過所述位置調整模塊將噴射嘴調整至所述位置檢測模塊的檢測范圍之內。
(三)有益效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





