[發(fā)明專利]一種無載體無引腳柵格陣列IC芯片封裝件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010561310.2
• 申請日: 2010-11-26
• 公開（公告）號: CN102074541A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 郭小偉;何文海;慕蔚;王新軍
• 申請（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務中心 62100
• 代理人: 鮮林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種IC芯片封裝件，具體涉及一種無載體無引腳柵格陣列IC芯片封裝件，本發(fā)明還涉及該封裝件的制備方法。

背景技術(shù)

LGA（Land?Grid?Array）封裝是柵格陣列封裝，以層壓基片為基礎的精細間距芯片級封裝。LGA用金屬觸點式封裝技術(shù)取代了過去的PGA（Pin?Grid?Array，針腳柵格陣列）是一種跨越性技術(shù)革命。PGA（針腳柵格陣列）封裝技術(shù)一般使用陶瓷基板、PCB基板或BT基板（邏輯關(guān)系不清楚），并且版圖結(jié)構(gòu)設計較為復雜，使用陶瓷基板、PCB基板或BT基板材料成本高，并且基板生產(chǎn)合格率低、制造周期較長，散熱效果不好。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有的PGA（針腳柵格陣列）技術(shù)中存在的框架版圖結(jié)構(gòu)設計較為復雜，合格率低，致使材料成本高的問題，本發(fā)明提供一種省去了復雜的版圖設計，采用銅引線框架（L/F）良率高，材料成本較低，并且制造周期短的一種扁平無載體無引腳柵格陳列IC芯片封裝件，本發(fā)明的另一目的是提供一種上述IC芯片封裝件的制備方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種無載體柵格陣列IC芯片封裝件及其制備方法，包括內(nèi)引腳，內(nèi)引腳上面為膠膜片，膠膜片上是IC芯片、IC芯片上的焊盤通過鍵合線與內(nèi)引腳相連，塑封體包圍膠膜片、IC芯片、鍵合線、內(nèi)引腳邊緣；其特征在于所述的內(nèi)引腳設為多排矩陣式內(nèi)引腳及外露的多排近似正方形的圓形鍍金觸點。

所述多排矩陣式內(nèi)引腳設為A、B、C三排引腳，其中A排設有3個內(nèi)引腳，分別為A1、A2、A3，B排左邊2個內(nèi)引腳B1、B2連在一起，右邊設1個單獨的內(nèi)引腳B3，C排設有3個單獨的內(nèi)引腳C1、C2、C3。

所述外露的多排近似正方形的圓形鍍金觸點為所述封裝件背面A排引腳上設有3個大小相同近似正方形的圓形獨立引腳觸點a1、a2、a3；b排也設有3個近似正方形的圓形獨立觸點b1、b2、b3；其中b2的左上角成0.10×45°斜角，其斜角正對的a排觸點為該電路Pin?1腳；C排也設有3個大小相同的近似正方形圓形獨立觸點c1、c2、c3。

所述封裝件有單芯片封裝形式；

所述封裝件有多芯片封裝形式；

所述封裝件設有雙芯片堆疊封裝形式，在原IC芯片上端設有另一IC芯片，IC芯片之間設有膠膜片粘接，原IC芯片上的焊盤通過鍵合線與內(nèi)引腳相連，原IC芯片上的另一焊盤再利用另一鍵合線與其上端的IC芯片相連，構(gòu)成電路的電流和信號通道，塑封體包圍膠膜片、IC芯片、鍵合線、內(nèi)引腳邊緣，構(gòu)成電路整體。

所述單芯片封裝件的生產(chǎn)方法包括晶圓減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、后固化、打印、切割分離、檢驗、包裝、入庫，其中后固化、打印、包裝、入庫同普通QFN生產(chǎn)，其余的操作按下述工藝步驟進行：

減薄、劃片

先將晶圓減薄到150μm～200μm，清洗干凈并烘干后，背面貼上膠膜片，去掉減薄膠膜，然后將貼有膠膜片的晶圓切成單個芯片，只劃透膠膜層，不劃保護層；

上芯

在膠膜片專用上芯機上，將芯片自動放置到L/F設置位置的正中央，加熱后IC芯片粘在B排內(nèi)引腳和其余幾個內(nèi)引腳邊緣，通過烘烤達到牢固性粘貼；

壓焊

本封裝IC芯片上焊盤距離內(nèi)引腳焊點較近，采用小折彎焊線；

塑封

塑封采用全自動包封系統(tǒng)：Y-series?E60T，?CEL9220HF10TS系列環(huán)保塑封料。其工藝條件如下：

模溫（℃）：165～185，合模式壓力（Ton）:35～55；注塑壓力（Ton）：?

0.75～1.33；注塑時間（s）：6～15；固化時間（s）：90～120。

????后固化采用QFN固化烘箱，150℃，7小時。

切割

采用本產(chǎn)品NLGA1/NLGA2專用切割夾具，按正常QFN切割工藝切割。

所述多芯片封裝的減薄、劃片，塑封，打印，切割與單芯片封裝相同，其它步驟方法如下：

上芯、

在膠膜片專用上芯機上，將芯片自動放置到相應L/F內(nèi)引腳設置位置上，加熱后IC芯片粘在中間排內(nèi)引腳和其余幾個內(nèi)引腳邊緣，通過烘烤達到牢固性粘貼；

壓焊

采用小折彎焊線。

所述雙芯片堆疊封裝的的減薄、劃片，打印，切割與單芯片封裝相同，其它步驟的生產(chǎn)方法如下：

上芯、