[發(fā)明專利]超級(jí)結(jié)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010559050.5
• 申請(qǐng)日: 2010-11-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102479699A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉繼全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/31
• 分類號(hào): H01L21/31;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種超級(jí)結(jié)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟：

步驟一、在襯底硅片上形成第一硅外延層；

步驟二、在第一硅外延層上形成第一介質(zhì)膜；其特征在于：

步驟三、涂光刻膠并形成P阱窗口，刻蝕所述第一介質(zhì)膜使其在P阱窗口處是斷開(kāi)的，進(jìn)行P阱注入；

步驟四、去除光刻膠，進(jìn)行P阱推進(jìn)，在所述第一硅外延層上端形成P阱；在所述第一介質(zhì)膜和P阱上方淀積第二介質(zhì)膜，該第二介質(zhì)膜是連續(xù)的；

步驟五、進(jìn)行溝槽刻蝕，在所述第一硅外延層中形成溝槽；

步驟六、在所述溝槽內(nèi)填充第二硅外延層；

步驟七、化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)溝槽表面平坦化，去除第二介質(zhì)膜上面的第二硅外延層；

步驟八、去除第一介質(zhì)膜和第二介質(zhì)膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：步驟三所述的P阱窗口大于溝槽寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一介質(zhì)膜和第二介質(zhì)膜可以為同一物質(zhì)，也可以是不同物質(zhì)，且第一介質(zhì)膜和第二介質(zhì)膜可以作為化學(xué)機(jī)械研磨時(shí)的阻擋層。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述步驟五所述的溝槽刻蝕包括溝槽和光刻標(biāo)記的刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：步驟四所述的P阱推進(jìn)和第二介質(zhì)膜生長(zhǎng)一步完成。