[發(fā)明專利]單芯片白光LED及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010558443.4
• 申請日: 2010-11-25
• 公開（公告）號: CN102064169B
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇建;夏偉;張秋霞;任忠祥;徐現(xiàn)剛
• 申請（專利權(quán)）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L21/50;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單芯片白光LED，包括紅光LED芯片、藍光LED芯片和綠光LED芯片，藍光LED芯片 的外延層自襯底以上依次包含N型GaN層、有源區(qū)和P型GaN層，紅光LED芯片的外延層自 襯底以上依次包含P型AlGaInP層、有源區(qū)和N型AlGaInP層，綠光LED芯片的外延層自襯 底以上依次包含N型GaN層、有源區(qū)和P型GaN層，其特征是：去除襯底的藍光LED芯片的 外延層中的P型GaN層與去除襯底的紅光LED芯片的外延層中的N型AlGaInP層相對粘接在 一起，綠光LED芯片的外延層中的P型GaN層與藍光LED外延層中的N型GaN層相對粘接在 一起，紅光LED外延層上設(shè)有P電極，綠光LED芯片的襯底底部設(shè)有N電極。

2.一種權(quán)利要求1所述單芯片白光LED的制備方法，其特征是：包括以下步驟：

(1)按藍光LED芯片常規(guī)MOCVD外延生長方法在藍光LED芯片襯底上生長藍光LED外延 層，制備出藍光LED芯片結(jié)構(gòu)；藍光LED芯片的外延層自襯底以上依次包含N型GaN層、有 源區(qū)和P型GaN層；

(2)按紅光LED芯片常規(guī)MOCVD外延生長方法在P型GaAs襯底上制備紅光LED外延層， 制備出紅光LED芯片結(jié)構(gòu)；紅光LED芯片的外延層自襯底以上依次包含P型AlGaInP層、有 源區(qū)和N型AlGaInP層；

(3)按綠光LED芯片常規(guī)MOCVD外延生長方法在綠光LED芯片襯底上生長綠光LED外延 層，制備出綠光LED芯片結(jié)構(gòu)；綠光LED芯片的外延層自襯底以上依次包含N型GaN層、有 源區(qū)和P型GaN層；

(4)將紅光LED外延層與藍光LED外延層相對，通過透明導(dǎo)電膠粘結(jié)在一起，藍光LED 外延層中的P型GaN層與紅光LED外延層中的N型AlGaInP層相對粘接在一起，兩者的襯底 均在外端；

(5)去除藍光LED芯片襯底；

(6)將綠光LED外延層與藍光LED外延層的底部相對，通過透明導(dǎo)電膠粘結(jié)在一起，綠 光LED外延層中的P型GaN層與藍光LED外延層中的N型GaN層相對粘接在一起，此時綠光 LED芯片襯底和紅光LED芯片的GaAs襯底在外端；

(7)去除紅光LED芯片的GaAs襯底；

(8)在紅光LED外延層上制備出P電極；

(9)在綠光LED芯片的襯底底部制備出N電極，得到垂直結(jié)構(gòu)的單芯片白光LED。