[發(fā)明專(zhuān)利]記憶體及與非門(mén)快閃記憶體的低電壓程序化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010555344.0
• 申請(qǐng)日: 2010-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102446549A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡秉宏;黃竣祥;蔡文哲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/02;G11C16/06
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶體，其特征在于其包含：

多個(gè)記憶胞串聯(lián)安排于一半導(dǎo)體主體中；

多條字元線(xiàn)，該多條字元線(xiàn)中的字元線(xiàn)與對(duì)應(yīng)的該多個(gè)記憶胞中的記憶胞耦接；以及

控制電路與多條位元線(xiàn)耦接，以適合利用下列步驟對(duì)一所選取字元線(xiàn)對(duì)應(yīng)的該多個(gè)記憶胞中的一選取記憶胞進(jìn)行程序化：

在一程序化區(qū)間時(shí)偏壓該多個(gè)記憶胞的第一及第二側(cè)之一至一漏極端電壓，且偏壓該第一及第二側(cè)的另一者至一源極端電壓；

在該程序化區(qū)間時(shí)施加漏極端導(dǎo)通電壓至介于該所選取字元線(xiàn)與該第一及第二側(cè)的一者之間的字元線(xiàn)；

在該程序化區(qū)間時(shí)施加源極端導(dǎo)通電壓至介于該所選取字元線(xiàn)與該第一及第二側(cè)的另一者之間的字元線(xiàn)；

在該程序化區(qū)間時(shí)施加一程序化電壓至該所選取字元線(xiàn)；及

施加一切換電壓至與該所選取字元線(xiàn)及其對(duì)應(yīng)的選取記憶胞鄰接的字元線(xiàn)及其對(duì)應(yīng)的記憶胞，以控制在該程序化區(qū)間時(shí)的電導(dǎo)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中所述的切換電壓在該程序化區(qū)間時(shí)會(huì)變動(dòng)，使得在該程序化區(qū)間的一部分時(shí)熱載子注入發(fā)生在該所選取記憶胞以設(shè)置該所選取記憶胞至一程序化臨界階級(jí)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中所述的施加一切換電壓包括一段時(shí)間包含一系列的增加或減少大小的脈沖。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中所述的施加一切換電壓包括施加一個(gè)或多個(gè)具有一快速上升或快速下降邊緣至少一者的脈沖。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于其中所述的多個(gè)記憶胞安排成一與非門(mén)串列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于更包括一第一切換開(kāi)關(guān)在一參考線(xiàn)與該多個(gè)記憶胞的該第一側(cè)之間，及一第二切換開(kāi)關(guān)在一第一位元線(xiàn)與該多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)之間，且其中該控制電路在該程序化區(qū)間開(kāi)啟該第一切換開(kāi)關(guān)及開(kāi)啟該第二切換開(kāi)關(guān)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體，其特征在于更包括第二多個(gè)記憶胞與該多條字元線(xiàn)耦接，一對(duì)應(yīng)的第一切換開(kāi)關(guān)在該參考線(xiàn)與該第二多個(gè)記憶胞的一第一側(cè)之間，及一對(duì)應(yīng)的第二切換開(kāi)關(guān)在一第二位元線(xiàn)與該第二多個(gè)記憶胞的一第二側(cè)之間，且其中該控制電路經(jīng)由該第一位元線(xiàn)施加該漏極端電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)，經(jīng)由該參考線(xiàn)施加該源極端電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第一側(cè)，且經(jīng)由該第二位元線(xiàn)施加一與該源極端電壓相同或接近的電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)以抑制熱載子注入。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體，其特征在于更包括第二多個(gè)記憶胞與該多條字元線(xiàn)耦接，一對(duì)應(yīng)的第一切換開(kāi)關(guān)在該參考線(xiàn)與該第二多個(gè)記憶胞的該第一側(cè)之間，及一對(duì)應(yīng)的第二切換開(kāi)關(guān)在一第二位元線(xiàn)與該第二多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)之間，且其中該控制電路經(jīng)由該第一位元線(xiàn)施加該源漏端電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)，經(jīng)由該參考線(xiàn)施加該漏極端電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第一側(cè)，且經(jīng)由該第二位元線(xiàn)施加一與該漏極端電壓相同或接近的電壓至該第二多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)以抑制熱載子注入。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體，其特征在于更包括第二多個(gè)記憶胞與該多條字元線(xiàn)耦接及一第二位元線(xiàn)，且其中該控制電路線(xiàn)施加一電壓至該第二位元線(xiàn)以抑制熱載子注入。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體，其特征在于更包括額外的記憶胞與該多個(gè)記憶胞串聯(lián)于該半導(dǎo)體主體中及一額外的字元線(xiàn)，且放置介于該多個(gè)記憶胞與該第一及第二切換開(kāi)關(guān)的一者之間，且其中該控制電路線(xiàn)在程序化與該額外的字元線(xiàn)鄰接的一目標(biāo)記憶胞時(shí)施加該切換電壓至該額外的字元線(xiàn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體，其特征在于更包括一第一切換開(kāi)關(guān)在一參考線(xiàn)與該多個(gè)記憶胞的該第一側(cè)之間，及一第二切換開(kāi)關(guān)在一位元線(xiàn)與該多個(gè)記憶胞的該第二側(cè)之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶體，其特征在于更包括第二多個(gè)記憶胞與該多條字元線(xiàn)及一第二位元線(xiàn)耦接，且其中該控制電路線(xiàn)在該程序化區(qū)間操作以偏壓該第二位元線(xiàn)使得在該選取字元線(xiàn)的一第一側(cè)的該第二多個(gè)記憶胞的一第一半導(dǎo)體主體區(qū)域及在該選取字元線(xiàn)的一第二側(cè)的該第二多個(gè)記憶胞的一第二半導(dǎo)體主體區(qū)域被偏壓至接近一給定電壓階級(jí)，例如是該源極端電壓或是該漏極端電壓，以抑制熱載子產(chǎn)生。