[發(fā)明專利]一種半導體器件的制作方式及使用的材料

無效

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• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN102479743A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設計）人: 王爽
• 申請（專利權）人: 大連創(chuàng)達技術交易市場有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/312
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體器件的制作方式及使用的材料。

背景技術

本發(fā)明涉及半導體器件的制造方法、在半導體器件制造方法中所用的填埋材料和半導體器件，特別涉及在絕緣膜內形成在夾置絕緣膜的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形的半導體器件的制造方法、在半導體器件制造方法中所用的填埋材料和半導體器件。隨著近年來半導體器件的高集成化和高速化，降低布線材料的電阻變得日益重要。因此，有各種各樣的布線材料，但由于存在布線材料難以通過干式腐蝕來加工的情況，所以采用在絕緣膜上預先形成的布線溝圖形與電連接該布線溝圖形和下層導電層的通孔中填埋布線材料的處理．

?在上述現(xiàn)有的處理中，一般通過光刻技術在絕緣膜上形成抗蝕劑的通孔圖形，通過腐蝕在絕緣膜上形成通孔圖形。然后，通過在絕緣膜上涂敷一層具有防反射膜功能的有機高分子材料，用該有機高分子材料來填埋通孔圖形。通過該處理來防止對通孔圖形底部的下層導電膜進行腐蝕時的損傷。接著，通過光刻技術在通孔圖形上形成抗蝕劑的布線溝圖形，通過腐蝕在絕緣膜中形成布線溝圖形。此時，通過控制腐蝕深度，可以在絕緣膜中形成布線溝圖形和下層導電膜進行接合的通孔圖形。通過將布線材料填埋在該布線溝圖形和通孔圖形上來形成布線。對上述現(xiàn)有的向通孔圖形中填埋具有防反射膜功能的有機高分子材料的處理依賴于通孔圖形的疏密度，所以在密集的通孔圖形和孤立的通孔圖形中填埋的情況有所不同。而且，由于具有作為防反射膜的功能，所以腐蝕速度低，在布線溝圖形的絕緣膜腐蝕時，有在通孔圖形深處可能產生柵欄狀的腐蝕殘渣的問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種半導體器件的制造方法、在半導體器件制造方法中所用的填埋材料和半導體器件。

????具有可以均勻地進行填埋而與通孔圖形的疏密度無關的良好填埋特性，并且使用腐蝕速度高的有機高分子材料．在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，包括以下步驟：在該絕緣膜內形成在夾置絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形；對所述通孔圖形多次涂敷均勻填埋的有機高分子的填埋材料；在所述有機高分子的填埋材料的膜上涂敷抗蝕劑；通過曝光在所述抗蝕劑上形成用于布線材料填埋的布線溝的抗蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模，按規(guī)定次數(shù)對所述有機高分子的填埋材料的膜和所述絕緣膜進行腐蝕；以及除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑和所述有機高分子的填埋材料的膜，其中，在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，所述涂敷步驟包括以下步驟：對所述通孔圖形涂敷均勻填埋的有機高分子的填埋材料；以及在所述抗蝕劑圖形形成步驟中涂敷對形成所述抗蝕劑圖形時所用的曝光波長有吸收性的有機防反射膜．在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，包括以下步驟：在該絕緣膜內形成在夾置絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形；對所述通孔圖形涂敷均勻填埋的有機高分子的填埋材料；將有機防反射膜涂敷在所述有機高分子的填埋材料上；將抗蝕劑涂敷在所述有機防反射膜上；通過曝光在所述抗蝕劑上形成用于布線材料填埋的布線溝的抗蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模，按規(guī)定次數(shù)對所述有機防反射膜、所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜進行腐蝕；以及除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑、所述有機防反射膜和所述有機高分子的填埋材料；所述有機高分子的填埋材料對形成所述抗蝕劑圖形時所用的曝光波長沒有吸收性，而所述有機防反射膜對曝光波長有吸收性。在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，包括以下步驟：將抗蝕劑涂敷在下層導電膜上的絕緣膜上；通過曝光在所述抗蝕劑上形成布線溝的抗蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模來腐蝕所述絕緣膜，所述絕緣膜內形成所述布線溝圖形；對所述布線溝圖形多次涂敷均勻填埋的有機高分子的填埋材料；將抗蝕劑涂敷在所述有機高分子的填埋材料上；通過曝光在所述抗蝕劑上形成在夾置所述絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形；以所述通孔圖形作為掩模來腐蝕所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜；以及除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑和所述有機高分子的填埋材料。其中，在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，所述涂敷步驟包括以下步驟：對所述布線溝圖形涂敷均勻填埋的有機高分子的填埋材料；以及在所述抗蝕劑圖形形成步驟中涂敷對形成所述通孔圖形時所用的曝光波長有吸收性的有機防反射膜；所述腐蝕步驟以所述通孔圖形作為掩模來腐蝕所述有機防反射膜、所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜；所述除去步驟除去在所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑、所述有機防反射膜和所述有機高分子的填埋材料，其中，在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，所述有機高分子填埋材料涂敷步驟使用不包含芳香族化合物的有機高分子材料。其中，在本發(fā)明的半導體器件的制造方法中，所述有機高分子的填埋材料涂敷步驟通過旋轉涂敷來涂敷所述有機高分子材料后，可以進行多次焙燒。