[發明專利]一種半導體器件的制作方式及使用的材料

無效

• 申請號: 201010553487.8
• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN102479743A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 王爽
• 申請（專利權）人: 大連創達技術交易市場有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/312
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件的制作方式及使用的材料，其特征在于，包括以下步驟：?在絕緣膜內形成在夾置絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形，多次涂敷對所述通孔圖形均勻填埋所用的有機高分子的填埋材料，在所述有機高分子的填埋材料的膜上涂敷抗蝕劑；通過曝光在所述抗蝕劑上形成用于布線材料填埋的布線溝的抗?蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模，按規定次數對所述有機高分子的填埋材料的膜和所述絕緣膜進行腐蝕；以及除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑和所述有機高分子的填埋材料的膜；

??（1）、所述涂敷步驟包括以下步驟：涂敷對所述通孔圖形均勻填埋所用的有機高分子的填埋材料；以及在所述抗蝕劑圖形形成步驟中涂敷對形成所述抗蝕劑圖形時所使用的曝光波長有吸收性的有機防反射膜；

?（2）、在該絕緣膜內形成在夾置絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形；涂敷對所述通孔圖形均勻填埋所用的有機高分子的填埋材料；?將有機防反射膜涂敷在所述有機高分子的填埋材料上；?將抗蝕劑涂敷在所述有機防反射膜上；

????通過曝光在所述抗蝕劑上形成用于布線材料填埋的布線溝的抗蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模，按規定次數對所述有機防反射膜、所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜進行腐蝕；以及除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑、所述有機防反射膜和所述有機高分子的填埋材料；

其特征在于，所述有機高分子的填埋材料對形成所述抗蝕劑圖形時所使用的曝光波長沒有吸收性，而所述有機防反射膜對曝光波長有吸收性；

（3）、將抗蝕劑涂敷在下層導電膜上的絕緣膜上；通過曝光在所述抗蝕劑上形成布線溝的抗蝕劑圖形；以所述抗蝕劑圖形作為掩模來腐蝕所述絕緣膜，在所述絕緣膜內形成所述布線溝圖形；

多次涂敷對所述布線溝圖形均勻填埋所用的有機高分子的填埋材料；將抗蝕劑涂敷在所述有機高分子的填埋材料上；通過曝光在所述抗蝕劑上形成在夾置所述絕緣膜所形成的下層導電膜和上層導電膜之間進行電連接的通孔圖形；以所述通孔圖形作為掩模來腐蝕所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜；以及?除去所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑和所述有機高分子的填埋材料；

（4）．涂敷對所述布線溝圖形均勻填埋所用的有機高分子的填埋材料；以及

在所述抗蝕劑圖形形成步驟中涂敷對形成所述通孔圖形時所使用的曝光波長有吸收性的有機防反射膜；特征在于，所述腐蝕步驟以所述通孔圖形作為掩模來腐蝕所述有機防反射膜、所述有機高分子的填埋材料和所述絕緣膜；所述除去步驟除去在所述腐蝕步驟中殘留的所述抗蝕劑、所述有機防反射膜和所述有機高分子的填埋材料；

?（5）．有機高分子填埋材料涂敷步驟使用不包含芳香族化合物的有機高分子材料；

?（6）．在通過旋轉涂敷所述有機高分子材料后，進行多次焙燒；

?（7）．有機高分子的填埋材料涂敷步驟中使用的有機高分子材料是與所述有機防反射膜互不溶解的材料；

?（8）．有機高分子的填埋材料涂敷步驟中使用的有機高分子材料是加熱處理中的交聯時的流動性大而分子量小的材料；

?（9）.有機高分子的填埋材料涂敷步驟中使用的有機高分子材料是熱固化溫度高的材料；

（10）.有機高分子的填埋材料，對形成所述抗蝕劑圖形時所使用的曝光波長沒有吸收性，與所述有機防反射膜互不溶解，該有機高分子的填埋材料是加熱處理中的交聯時的流動性大而分子量小的材料，是熱固化溫度高的材料。