[發(fā)明專利]LDMOS器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010552466.4
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN102468335A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王樂
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括外延層和位于所述外延層表面內(nèi)的阱區(qū)；

位于所述阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)，位于所述外延層內(nèi)的漏區(qū)；

位于所述外延層表面內(nèi)，與所述外延層摻雜狀態(tài)不同的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)設(shè)置于所述源區(qū)與漏區(qū)之間的漂移區(qū)內(nèi)，且所述第一區(qū)和第二區(qū)的摻雜狀態(tài)不同；

位于所述第一區(qū)和第二區(qū)上方的場氧化層；

位于所述阱區(qū)和所述場氧化層上的柵區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的排列方式為，在所述基底的平面內(nèi)，垂直于漂移方向排列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的導(dǎo)電類型相反。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二區(qū)和所述外延層的導(dǎo)電類型相同，且所述第二區(qū)的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的摻雜濃度基本相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的深度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)為P型摻雜，所述第二區(qū)為N型摻雜，且所述第一區(qū)的長度小于第二區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的形成方法為，采用選擇性外延生長的工藝先后形成所述第一區(qū)和第二區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一區(qū)和第二區(qū)的形成方法為，采用離子注入的方法先后形成所述第一區(qū)和第二區(qū)。

10.一種LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括外延層和位于所述外延層表面內(nèi)的阱區(qū)；

在所述外延層表面內(nèi)形成第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的摻雜狀態(tài)不同；

在所述第一區(qū)和第二區(qū)上方的外延層上形成場氧化層；

在所述阱區(qū)和所述場氧化層上形成柵區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，在所述外延層內(nèi)形成漏區(qū)，所述第一區(qū)和第二區(qū)位于所述源區(qū)與漏區(qū)之間的漂移區(qū)內(nèi)。