[發(fā)明專利]發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構及其發(fā)光半導體光源裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010552193.3 | 申請日: | 2010-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN102064166A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李光 | 申請(專利權)人: | 李光 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;F21V23/06 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107 | 代理人: | 陳躍琳 |
| 地址: | 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 半導體 芯片 曲面 封裝 結構 及其 光源 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及發(fā)光半導體芯片封裝領域,具體涉及一種發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構及其發(fā)光半導體光源裝置。
背景技術
眾所周知,半導體芯片須封裝在封裝結構中,并引出電極供使用者連接電源供電使其工作或發(fā)光。為了克服傳統(tǒng)采用單一低功率的半導體芯片所制成的發(fā)光二極管難以發(fā)光功率小、亮度低的不足,公告號為CN100505245C和CN100454536C的中國發(fā)明公開了的“半導體芯片封裝結構及其光源裝置”,包括一個三維支架,該三維支架上設有多個平面,在支架的多個平面中選擇部分平面,在其上安裝一個或多個發(fā)光半導體芯片,以產生弧度范圍可達360°的發(fā)光弧。由于平面的夾角最大180°,而發(fā)光半導體芯片的發(fā)光角不大于120°,因此當發(fā)光半導體芯片固晶在一平面上,最終獲得的發(fā)光角不可能超過160°,這也就是說,上述結構的三維支架要想獲得真正意義上的360°均勻的發(fā)光弧,需要同時滿足以下3個條件:1、確保足夠多的平面上固晶有發(fā)光半導體芯片;2、三維支架上的每個平面的大小、特別是寬度應一致,即三維支架的橫剖面應是一個正多邊形;3、保證發(fā)光半導體芯片在固晶過程中的定位精度、以使每個發(fā)光半導體芯片都固晶在每個平面的軸向中心上。由此可見,采用上述三維支架結構的半導體光源在三維支架的加工工藝上、以及發(fā)光半導體固晶工藝上都具有相當的難度,上述任何環(huán)節(jié)出現疏忽,就難以獲得具有均勻分光強度的360°的發(fā)光弧,這不僅加大了生產的難度、降低了生產效率、提高了生產成本,其半導體光源的成品率也相對較低。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供開一種易于生產、并可獲得更為均勻的360°發(fā)光弧的發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構及其發(fā)光半導體光源裝置。
為解決上述問題,本發(fā)明所采用的構思是:通過在弧形曲面上貼附發(fā)光半導體芯片的封裝方式,讓發(fā)光半導體芯片始終位于該封裝面的最高點處,從而在降低工藝難度的基礎上,確保每個發(fā)光半導體芯片在封裝后的發(fā)光角度,由此獲得更為均勻的360°發(fā)光弧。
本發(fā)明所設計的一種發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構,包括三維支架、2個導電電極、和多個發(fā)光半導體芯片,三維支架和2個導電電極固裝成一體,所述三維支架上具有至少一個圓弧形的封裝曲面;發(fā)光半導體芯片環(huán)繞地貼附在該三維支架的封裝曲面上,并以串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式電連接至上述兩個導電電極。
上述方案所述發(fā)光半導體芯片通過導線最好以串聯(lián)、或串并聯(lián)混合的方式電連接。
上述方案所述三維支架最好為橫剖面呈圓形的柱狀體,該柱狀體的側面形成封裝曲面。
上述方案所述第一導電電極和第二導電電極分別固裝在三維支架的兩端。
上述方案所述三維支架的側壁還設有2條螺旋狀的絕緣條,這2條絕緣條平行地環(huán)繞在三維支架的側壁上、并將三維支架的側壁分隔成2個相對獨立的螺旋狀的封裝曲面,即陽極封裝曲面和陰極封裝曲面,其中陽極封裝曲面與其中一個導電電極電導通,陰極封裝曲面與另一個導電電極電導通。
采用上述發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構所制成的一種發(fā)光半導體光源裝置,包括聚光殼體和內置于聚光殼體內的發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構,其中發(fā)光半導體芯片曲面封裝結構包括三維支架、2個導電電極、和多個發(fā)光半導體芯片,三維支架和2個導電電極固裝成一體,所述三維支架上具有至少一個圓弧形的封裝曲面;發(fā)光半導體芯片環(huán)繞地貼附在該三維支架的封裝曲面上,并以串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式電連接至上述兩個導電電極。
上述方案所述發(fā)光半導體芯片通過導線最好以串聯(lián)、或串并聯(lián)混合的方式電連接。
上述方案所述三維支架最好為橫剖面呈圓形的柱狀體,該柱狀體的側面形成封裝曲面。
上述方案所述第一導電電極和第二導電電極分別固裝在三維支架的兩端。
上述方案所述三維支架的側壁還設有2條螺旋狀的絕緣條,這2條絕緣條平行地環(huán)繞在三維支架的側壁上、并將三維支架的側壁分隔成2個相對獨立的螺旋狀的封裝曲面,即陽極封裝曲面和陰極封裝曲面,其中陽極封裝曲面與其中一個導電電極電導通,陰極封裝曲面與另一個導電電極電導通。
與現有技術相比,本發(fā)明具有如下特點:
1、改變以往在平面上貼附發(fā)光半導體芯片的封裝方式,轉而采用在曲面上貼附發(fā)光半導體芯片的封裝方式,這樣無論發(fā)光半導體芯片固定在封裝面的任意點上均能確保發(fā)光半導體芯片始終處于封裝面的最高點處,因而無需考慮發(fā)光半導體芯片是否被固定在封裝面的軸向中心上的問題,在發(fā)光半導體芯片封裝后的發(fā)光角度的前提下、降低了發(fā)光半導體芯片的定位精度要求,使得生產工藝難度減小、產品的性能和成品率也隨之提高;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





