[發(fā)明專利]一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010549541.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102467973A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李崇仁;劉平;查錦;崔小樂(lè)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)深圳研究生院
• 主分類號(hào): G11C29/08
• 分類號(hào): G11C29/08
• 代理公司: 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 宋鷹武

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的可靠性的測(cè)試方法及裝置。

背景技術(shù)

根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果，故障在集成電路產(chǎn)品生命周期內(nèi)的分布可以用浴缸曲線表示，如圖1所示。其中橫軸表示集成電路產(chǎn)品的工作時(shí)間，縱軸表示故障率，從圖1可知，集成電路產(chǎn)品的故障大都出現(xiàn)在最初工作的一段時(shí)間之內(nèi)，主要是由于電路制造工藝過(guò)程中的缺陷造成的，故障率很高。老化測(cè)試是加速集成電路產(chǎn)品渡過(guò)這段時(shí)期的重要手段。它的原理是通過(guò)對(duì)集成電路施加一定過(guò)應(yīng)力(高溫或者高電壓)，使電路早期的一些故障，比如電子遷移，熱載流子退化，氧化層薄弱點(diǎn)等能夠盡快的顯現(xiàn)出來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品有效篩選。

存儲(chǔ)器是一類重要且應(yīng)用廣泛的集成電路產(chǎn)品，目前通常基于老化爐實(shí)現(xiàn)其老化測(cè)試。首先，將帶有多個(gè)存儲(chǔ)器樣片的老化測(cè)試板放到老化爐內(nèi)，按照標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置測(cè)試溫度(如125℃)，由老化爐加溫到測(cè)試溫度以進(jìn)行一定時(shí)間的試驗(yàn)檢測(cè)。測(cè)試電壓分為靜態(tài)電壓和動(dòng)態(tài)電壓兩種，選擇加哪種電壓與所要測(cè)試的故障類型有關(guān)。如果是測(cè)試數(shù)據(jù)線或者單元連接可靠等類故障，可以選擇靜態(tài)高壓測(cè)試。這里所加的高壓主要是加在數(shù)據(jù)線上的電壓，這個(gè)電壓可以通過(guò)修改過(guò)的譯碼器電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖2和圖3是現(xiàn)有的一種技術(shù)方案，圖2中的wbi信號(hào)是老化測(cè)試控制信號(hào)，當(dāng)wbi輸入為1時(shí)，或非門輸出為0，譯碼器電路失效，被測(cè)電路再使用其它輸入信號(hào)使所有數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)靜態(tài)高壓輸入。另外，也可以使用外加的電路實(shí)現(xiàn)測(cè)試輸入。如果是測(cè)試諸如單元存儲(chǔ)電容一類的可靠性問(wèn)題，輸入就需要?jiǎng)討B(tài)電壓，如圖4所示，通過(guò)外部輸入直接對(duì)存儲(chǔ)電容，或者控制晶體管的柵電容進(jìn)行充放電，觀察供電總線上的電流大小來(lái)判斷被測(cè)的電路是否已經(jīng)失效。

上面幾種方法有一個(gè)共同點(diǎn)，就是在測(cè)試過(guò)程中只考慮了電壓一種因素，大家都默認(rèn)了電路上的高溫由老化爐提供。但是，對(duì)于實(shí)際工作的電路，這種假設(shè)顯然是有缺陷的。電路在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生功耗，進(jìn)而轉(zhuǎn)化為熱量，特別是在狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中的動(dòng)態(tài)功耗產(chǎn)生的熱量甚至有可能使電路燒毀。因此，在施加高壓過(guò)程中，只考慮電路的電性能故障，而不考慮電路自身的功耗所產(chǎn)生的熱量的影響，其結(jié)果是不準(zhǔn)確的。另外，外部施加的高溫并不能精確的反應(yīng)電路本身的溫度分布情況，這與電路的導(dǎo)熱性能有關(guān)，也與老化爐的溫控能力有關(guān)。隨著存儲(chǔ)器的密度逐漸加大，存儲(chǔ)器(特別是閃存)已經(jīng)向3D方向發(fā)展，高溫老化測(cè)試的老化爐更無(wú)法反應(yīng)被測(cè)電路的真實(shí)溫度分布情況，所得的測(cè)試結(jié)果的可靠性也就大大的降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問(wèn)題是，提供一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法及裝置，利用被測(cè)陣列電路的自身功耗產(chǎn)生的溫度進(jìn)行老化測(cè)試，避免由于溫度無(wú)法精確控制，外部加熱導(dǎo)致被測(cè)電路內(nèi)部的溫度分布不均，以及只考慮電性能故障等所產(chǎn)生的誤差。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器測(cè)試裝置，用于對(duì)存儲(chǔ)器的被測(cè)陣列進(jìn)行測(cè)試，包括控制器、信號(hào)發(fā)生器、與所述被測(cè)陣列相連的執(zhí)行器；所述信號(hào)發(fā)生器在所述控制器控制下，產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)并通過(guò)所述執(zhí)行器輸入到所述被測(cè)陣列使其產(chǎn)生功耗以形成所述被測(cè)陣列測(cè)試所需的測(cè)試溫度。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述執(zhí)行器包括與所述被測(cè)陣列的行相連接的第一執(zhí)行器以及與所述被測(cè)陣列的列相連接的第二執(zhí)行器，所述信號(hào)發(fā)生器在控制器的作用下產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)包括老化測(cè)試信號(hào)，所述老化測(cè)試信號(hào)包括行測(cè)試信號(hào)和列測(cè)試信號(hào)，所述行測(cè)試信號(hào)通過(guò)所述第一執(zhí)行器輸入到所述被測(cè)陣列以使所述被測(cè)陣列產(chǎn)生靜態(tài)功耗，所述列測(cè)試信號(hào)通過(guò)第二執(zhí)行器輸入到所述被測(cè)陣列以使所述被測(cè)陣列產(chǎn)生動(dòng)態(tài)功耗。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述第一執(zhí)行器和第二執(zhí)行器為MOS管或者三極管。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，還包括老化爐，用于對(duì)所述被測(cè)陣列進(jìn)行進(jìn)一步加溫，使其達(dá)到預(yù)設(shè)的測(cè)試溫度。

本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法，包括如下步驟：

控制器發(fā)出測(cè)試命令，使所述存儲(chǔ)器的被測(cè)陣列處于測(cè)試狀態(tài)；

信號(hào)發(fā)生器接收到所述測(cè)試命令后，產(chǎn)生相應(yīng)的所述測(cè)試信號(hào)；

執(zhí)行器接收到所述測(cè)試信號(hào)后，將其輸入所述被測(cè)陣列使所述被測(cè)陣列產(chǎn)生功耗以形成所述被測(cè)陣列測(cè)試所需的測(cè)試溫度，從而得到測(cè)試結(jié)果。

在本發(fā)明的一種實(shí)施例中，所述測(cè)試命令包括使所述執(zhí)行器處于開(kāi)啟狀態(tài)的使能命令，還包括靜態(tài)功耗測(cè)試命令和動(dòng)態(tài)功耗測(cè)試命令；所述測(cè)試信號(hào)包括老化測(cè)試信號(hào)，所述老化測(cè)試信號(hào)包括行測(cè)試信號(hào)和列測(cè)試信號(hào)；所述執(zhí)行器包括與所述被測(cè)陣列的行相連接的第一執(zhí)行器以及與所述被測(cè)陣列的列相連接的第二執(zhí)行器。