[發明專利]切削刀片的消耗量管理方法有效
| 申請號: | 201010542629.0 | 申請日: | 2010-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102110587A | 公開(公告)日: | 2011-06-29 |
| 發明(設計)人: | 奧鳴研悟 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/78;H01L21/66;B28D5/00;G05B19/406 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切削 刀片 消耗量 管理 方法 | ||
1.一種切削裝置中的切削刀片的消耗量管理方法,所述切削裝置具備:第一卡盤工作臺,該第一卡盤工作臺用于保持晶片;第一加工進給構件,該第一加工進給構件使所述第一卡盤工作臺沿X軸方向進行加工進給;第二卡盤工作臺,該第二卡盤工作臺相對于所述第一卡盤工作臺獨立地配設,且該第二卡盤工作臺用于保持晶片;第二加工進給構件,該第二加工進給構件使所述第二卡盤工作臺沿X軸方向進行加工進給;切削構件,該切削構件具備切削刀片,該切削刀片作用于保持在所述第一卡盤工作臺或者所述第二卡盤工作臺上的晶片以實施切削;分度進給構件,該分度進給構件使所述切削構件沿與X軸方向正交的Y軸方向進行分度進給;切入進給構件,該切入進給構件使所述切削構件沿與X軸方向和Y軸方向正交的Z軸方向進行切入進給;以及深度檢測構件,該深度檢測構件配設在沿X軸方向從所述切削構件離開的位置,用于檢測形成于晶片的切削槽的深度,該晶片保持于所述第一卡盤工作臺或者所述第二卡盤工作臺,所述切削裝置中的切削刀片的消耗量管理方法的特征在于,
所述切削裝置中的切削刀片的消耗量管理方法包括以下工序:
第一切削工序,在該第一切削工序中,利用所述切削構件對保持在所述第一卡盤工作臺上的晶片進行切削;
第二切削工序,在該第二切削工序中,利用所述切削構件對保持在所述第二卡盤工作臺上的晶片進行切削;
消耗量計算工序,在該消耗量計算工序中,利用實施所述第二切削工序的期間內的時間,使所述第一加工進給構件工作從而將所述第一卡盤工作臺定位在所述深度檢測構件的正下方,利用所述深度檢測構件檢測形成于晶片的所述切削槽的深度,根據檢測出的槽深算出所述切削刀片的消耗量;以及
位置修正工序,在該位置修正工序中,根據從所述消耗量計算工序中算出的所述切削刀片的消耗量,使所述切削構件的所述切入進給構件工作,從而對所述切削刀片在Z軸方向的原點位置進行修正。
2.根據權利要求1所述的切削裝置中的切削刀片的消耗量管理方法,其中,
所述切削裝置中的切削刀片的消耗量管理方法還包括極限判定工序,在該極限判定工序中,當截止至上次為止算出的所述切削刀片的消耗量的累計量與經所述消耗量計算工序算出的所述切削刀片的消耗量相加得到的相加值超過預先確定的作為所述切削刀片的可使用極限的基準的最大可消耗量的情況下,中止所述切削刀片的使用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





