[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010542442.0
• 申請日: 2010-11-10
• 公開（公告）號: CN102074569A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 李源規;曹圭湜;梁泰勛;秋秉權;文相皓;崔寶京;樸容煥;崔埈厚;申旼澈;李侖揆
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G09G3/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

技術領域

本公開涉及一種能夠利用有機發射材料來實現圖像的有機發光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法。

背景技術

OLED顯示裝置是這樣一種顯示裝置，該顯示裝置利用從陰極和陽極注入到發射層中的電子和空穴復合產生的激子所產生的能量來發射具有特定波長的光。

OLED顯示裝置分為無源矩陣型和有源矩陣型。有源矩陣OLED顯示裝置通常包括兩個薄膜晶體管(TFT)來驅動包括有機薄膜的有機發光二極管(OLED)。這兩個晶體管可以包括向OLED施加驅動電流的驅動晶體管和向驅動晶體管傳輸數據信號從而確定驅動晶體管的導通/截止的開關晶體管。因此，與無源矩陣OLED顯示裝置相比，有源矩陣OLED顯示裝置具有相對更加復雜的制造工藝。

無源矩陣OLED顯示裝置通常用在例如低分辨率和小尺寸的顯示裝置的應用中。利用設置在顯示區域的每個像素中的開關晶體管和驅動晶體管提供均勻的電流，根據該電流，有源矩陣OLED顯示裝置通常能夠展示穩定的亮度。

通常，薄膜晶體管(例如開關晶體管或驅動晶體管)包括：半導體層；柵電極，設置在半導體層的一側上，以通過半導體層控制電流流動；源電極和漏電極，分別連接到半導體層的相對端，以使一定量的電流通過半導體層。半導體層可以由多晶硅(poly-Si)或非晶硅(a-Si)形成。由于poly-Si的電子遷移率比a-Si的電子遷移率高，所以通常更經常地使用poly-Si。

為了利用poly-Si形成半導體層，通常在基底上形成a-Si層，并且通過固相結晶(SPC)、快速熱退火(RTA)、金屬誘導結晶(MIC)、金屬誘導橫向結晶(MILC)、準分子激光退火(ELA)和連續橫向固化(SLS)中的一種使a-Si層結晶。

發明內容

本發明的實施例提供了一種OLED顯示裝置及其制造方法，本發明的OLED顯示裝置通過相對簡單的工藝在每個像素中按照適于不同作用的結構形成開關晶體管和驅動晶體管能夠防止工藝效率下降并能夠增加發射效率。

一方面是一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置，所述有機發光二極管顯示裝置包括多條掃描線、多條數據線和設置在掃描線與數據線交叉的區域中的多個像素，其中，多個像素中的每個像素包括：開關晶體管，包括第一柵電極、設置在第一柵電極上方的第一半導體層、設置在第一柵電極和第一半導體層之間的第一柵極絕緣層、以及第一源電極和第一漏電極；驅動晶體管，包括第二半導體層、設置在第二半導體層上方的第二柵電極、設置在第二柵電極和第二半導體層之間的第二柵極絕緣層、以及第二源電極和第二漏電極；有機發光二極管，與驅動晶體管的第二源電極和第二漏電極中的一個電極電連接，其中，第一半導體層和第二半導體層由相同的材料通過同一工藝形成。

第一半導體層和第二半導體層可以由多晶硅(poly-Si)形成。

第一半導體層和第二半導體層的poly-Si可以具有相同的晶體結構。

每個像素還可以包括設置在第一半導體層和第一源電極、第一漏電極之間的第一歐姆接觸層，以及設置在第二半導體層和第二源電極、第二漏電極之間的第二歐姆接觸層。

第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層可以由摻雜有雜質的非晶硅形成。

每個像素還可以包括設置在第一半導體層的部分區域上的第一蝕刻停止層以及設置在第二半導體層的部分區域上的第二蝕刻停止層。

OLED可以包括與第二源電極和第二漏電極中的所述一個電極電連接的下電極、設置在所述下電極上方并且包括一個或多個發射層的有機層以及設置在有機層上方的上電極。

第二柵電極可以設置在第二源電極和第二漏電極上方。

第一源電極和第一漏電極可以由與第二源電極和第二漏電極的材料相同的材料與第二源電極和第二漏電極通過同一工藝形成。