[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010542442.0
• 申請日: 2010-11-10
• 公開（公告）號: CN102074569A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設計）人: 李源規(guī);曹圭湜;梁泰勛;秋秉權(quán);文相皓;崔寶京;樸容煥;崔埈厚;申旼澈;李侖揆
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G09G3/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置包括：

多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線和設置在多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域中的多個像素，

其中，多個像素中的每個像素包括：

開關晶體管，包括第一柵電極、第一源電極、第一漏電極、設置在第一柵電極上方的第一半導體層以及設置在第一柵電極和第一半導體層之間的第一柵極絕緣層；

驅(qū)動晶體管，包括第二半導體層、第二源電極、第二漏電極、設置在第二半導體層上方的第二柵電極以及設置在第二柵電極和第二半導體層之間的第二柵極絕緣層；

有機發(fā)光二極管，與驅(qū)動晶體管的第二源電極和第二漏電極中的一個電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一半導體層和第二半導體層由多晶硅形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一半導體層和第二半導體層的多晶硅具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，每個像素還包括設置在第一半導體層和第一源電極、第一漏電極之間的第一歐姆接觸層，以及設置在第二半導體層和第二源電極、第二漏電極之間的第二歐姆接觸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層由摻雜有雜質(zhì)的非晶硅形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，每個像素還包括設置在第一半導體層的部分區(qū)域上的第一蝕刻停止層以及設置在第二半導體層的部分區(qū)域上的第二蝕刻停止層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，有機發(fā)光二極管包括與第二源電極和第二漏電極中的所述一個電極電連接的下電極、設置在所述下電極上方并且包括一個或多個發(fā)射層的有機層以及設置在有機層上方的上電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第二柵電極設置在第二源電極和第二漏電極上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一源電極和第一漏電極由與第二源電極和第二漏電極的材料相同的材料形成。

10.一種制造有機發(fā)光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底；

在所述基底的第一區(qū)域上方形成第一柵電極；

在第一柵電極上方形成第一柵極絕緣層；

在第一柵極絕緣層上方形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上方形成導電材料層；

蝕刻所述多晶硅層和所述導電材料層，在第一區(qū)域中形成第一半導體層、第一源電極和第一漏電極，在第二區(qū)域中形成第二半導體層、第二源電極和第二漏電極，其中，第一半導體層和第二半導體層通過同一工藝由相同的材料形成；

在第一源電極和第一漏電極以及第二源電極和第二漏電極上方形成第二柵極絕緣層；

在第二區(qū)域的第二柵極絕緣層上方形成第二柵電極；

在第二柵電極上形成保護層；

蝕刻所述保護層和第二柵極絕緣層，形成暴露第二源電極和第二漏電極中的一個電極的通孔；

形成包括下電極的有機發(fā)光二極管，所述下電極通過所述保護層中的通孔與第二源電極和第二漏電極中的所述一個電極電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成多晶硅層的步驟包括：在第一柵極絕緣層上方沉積非晶硅層，并使所述非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括：

在所述多晶硅層上方形成非晶硅層；

在所述非晶硅層上方形成所述導電材料層；

通過用于所述多晶硅層和所述導電材料層的蝕刻工藝蝕刻摻雜有雜質(zhì)的所述非晶硅層，在第一半導體層和第一源電極、第一漏電極之間形成第一歐姆接觸層，在第二半導體層和第二源電極、第二漏電極之間形成第二歐姆接觸層。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述多晶硅層的第一區(qū)域上方形成第一蝕刻停止層，在所述多晶硅層的第二區(qū)域上方形成第二蝕刻停止層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括沿著第一半導體層和第二半導體層的部分區(qū)域形成第一蝕刻停止層和第二蝕刻停止層。