[發明專利]三氯硅烷合成裝置及方法無效
| 申請號: | 201010542134.8 | 申請日: | 2010-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN102001667A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 李海軍;吳衛星;浦全富;劉軍;陳艷梅;潘倫桃;陳文明;呂建波;楊君 | 申請(專利權)人: | 寧夏陽光硅業有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 寧夏專利服務中心 64100 | 代理人: | 葉學軍 |
| 地址: | 753202 寧夏回*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅烷 合成 裝置 方法 | ||
1.一種三氯硅烷合成裝置,包括氯化氫氣體進氣口、氯化氫氣體緩沖室、氯化氫氣體分配板、氯化氫與硅粉反應的反應室、硅粉加料口、硅粉和氣體進行分離的氣-固分離室及反應氣體取出口,其特征在于在硅粉的加料口下方設有硅粉分配器,在氣-固分離室設有硅粉阻擋器,在氣-固分離室頂部設有吹氣管。
2.如權利要求1所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于硅粉分配器包括有直徑為10~20mm通孔的錐面部件和固定所述錐面部件的加固環;所述的錐面為圓錐面,其錐頂角度為70度~120度;所述硅粉分配器被安裝在三氯硅烷合成裝置反應室的硅粉進料口的下方,其錐頂朝上。
3.如權利要求2所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于硅粉分配器的圓錐面錐底直徑小于三氯硅烷合成裝置反應室內徑約10~30cm。
4.如權利要求2所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于硅粉分配器是用不銹鋼制造的。
5.一種如權利要求1所述三氯硅烷合成裝置,其特征在于所述的硅粉阻擋器為篩網式阻擋器,包括:篩網線、由篩網線編織組成的10~20×10~20?mm方形孔、加固環、用加固環加固的篩網和將多層所述的篩網加固環連接的支柱。
6.一種如權利要求1所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于所述的硅粉阻擋器為柵板式阻擋器,包括:柵板條、由柵板條焊接組成的有10~30×10~30?mm方形孔、加固環、用加固環加固的柵板和將多層所述的柵板加固環連接的支柱。
7.一種如權利要求1所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于所述的硅粉阻擋器為板式阻擋器,包括:有孔徑為10~20mm的通孔的金屬板、加固環和將多層所述的金屬板加固環連接的支柱。
8.如權利要求1所述的三氯硅烷合成裝置,其特征在于硅粉阻擋器是用不銹鋼制造的。
9.如權利要求5~7所述的三氯硅烷合成裝置,其中任一項所述的硅粉阻擋器層間距離為4~20cm。
10.如權利要求5~7所述的三氯硅烷合成裝置,其中任一項所述的硅粉阻擋器均被安裝在三氯硅烷合成裝置反應室上部的擴徑部的上部氣-固分離室中,在所述氣-固分離室頂部的吹氣管下方。
11.一種三氯硅烷的合成方法,包括以下步驟:
將硅粉導入反應室,經過硅粉分配器,同時將氯化氫氣體導入反應室,使上升的氯化氫氣體與下落的硅粉接觸發生反應;
反應后的氣體和未反應的硅粉隨著氣流上升到氣-固分離室,部分硅粉沉降或吸附在硅粉阻擋器上;
將通過氣-固分離室后的氣體及部分硅粉從氣體取出口取出;
在氯化氫和硅粉反應過程中,定期地停止硅粉加料,通過吹氣管用高壓氣體向硅粉阻擋器吹氣,使硅粉阻擋器上和氣固分離室壁上的硅粉下落到反應室里與氯化氫氣體進行反應。
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