[發明專利]真空閥用電接點以及利用該接點的真空斷路器無效
| 申請號: | 201010540124.0 | 申請日: | 2010-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102064026A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 菊池茂;馬場升;森田步;藪雅人;中村清美 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01H1/02 | 分類號: | H01H1/02;H01H11/04;H01H33/664 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 史雁鳴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 用電 接點 以及 利用 斷路器 | ||
技術領域
本發明涉及真空斷路器、用于真空開關等的新型的真空閥用點電接點。
背景技術
對于真空斷路器等用戶端、供電端配電設備,要求小型化、低價格化。因此,有必要通過使真空閥內的電接點低強度化并降低電接點由于焦耳而彼此熔敷時的分離力,使進行電接點的開閉動作的操作機構小型化。電接點大多使用Cr-Cu系的燒結合金,作為將其低強度化的手段,采用添加Te等低熔點金屬的方法。
作為耐熔敷成分,或者為了抑制電流斷路后的接點表面變粗糙,添加低熔點金屬,幾個重量%的添加量是必要的。
【現有技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2005-135778號公報
【專利文獻2】日本特開2006-140073號公報
【專利文獻3】日本特開2003-223834號公報
當添加幾個重量%的低熔點金屬時,有時會在作為通電成分的Cu基質中產生缺陷,或者燒結變得不充分,在電接點不能獲得良好的通電性能及斷路性能。
另外,在真空密封釬焊制作真空閥的情況下,存在低熔點金屬從電接點揮發而損害釬焊部的健全性并導致真空閥內的真空度降低的危險性。
此外,在低熔點金屬的添加量相對于恰當的量少的情況下,有時電接點的低強度化不足,分離力降低的效果不足。
發明內容
本發明的目的是提供一種電接點,所述電接點的熔敷分離力小,具有優異的通電性能、斷路性能。
解決上述課題的本發明,是一種以Cr和Cu為主成分,具有在Cu基質中分散Cr的組織的電接點,進而,在Cu基質中分散金屬間化合物。特別是,其特征在于,金屬間化合物存在于Cu基質的晶粒、晶粒邊界、以及Cr和Cu的界面。金屬間化合物是由Cr和Cu和Te構成的三元系化合物。優選地,Cr的含量為18~45體積%。另外,優選地,金屬間化合物的含量為0.02~2.0體積%。特別是,作為金屬間化合物,含有Cr2CuTe4、Cr4Cu2Te7其中之一,或者含有它們兩者。
另外,解決上述課題的本發明,包括一種電接點的制造方法,其特征在于,將Cr的粉末、Cu的粉末、由Cr和Cu和Te構成的三元系化合物構成的金屬間化合物的粉末混合,將其加壓成形,在Cu的熔點以下的溫度對其加熱燒結。優選地,采用前述Cr粉末的粒徑在104μm以下、前述Cu粉末及前述金屬間化合物粉末的粒徑在61μm以下的粉末。
另外,將Cr和Cu和Te的粉末混合或者將Cu2Te和Cr2Te3的粉末混合之后,加壓成形,在金屬間化合物的熔點以下的溫度進行加熱,通過粉碎獲得金屬間化合物的粉末。混合粉末的加熱,在真空中,在惰性氣氛中或者還原性氣氛中進行。
根據上述結構,可以提供熔敷分離力小并具有優異的通電性能、斷路性能的電接點。
附圖說明
圖1是表示電極結構的剖視圖。
圖2是表示真空閥的結構的圖示。
圖3是表示真空斷路器的結構的圖示。
圖4是表示路邊設置變壓器用負荷開關的結構的圖示。
具體實施方式
真空斷路器包括:導體端子,所述導體端子分別連接到真空閥內的固定電極側及可動電極側上;開關機構,所述開關機構驅動可動側電極。另外,真空開關設備借助導體將多個真空閥串聯連接,包括驅動可動側電極的開關機構。真空閥在真空容器內包括一對固定側電極和可動側電極。在該固定側電極及可動側的至少其中的一個中,可以應用本發明的結構。
真空斷路器用的電極呈圓板的形狀,具有形成在圓板形狀的圓心的中心孔,以及相對于該中心孔非接觸地從圓心向外周部形成的多個貫通的狹槽,并且,具有成一整體地接合于該圓板形狀的構件的電弧發生面的相反面上的電極棒。上述圓板形狀的構件(電接點)使用具有優異的通電性能、斷路性能的材料,從而能夠實現真空斷路器、真空開關設備的小型化。
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