[發明專利]真空閥用電接點以及利用該接點的真空斷路器

無效

• 申請號: 201010540124.0
• 申請日: 2010-11-11
• 公開（公告）號: CN102064026A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 菊池茂;馬場升;森田步;藪雅人;中村清美
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01H1/02
• 分類號: H01H1/02;H01H11/04;H01H33/664
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 史雁鳴

1.一種電接點，包括鉻、銅以及碲，具有在銅基質中分散有由鉻、銅和碲構成的金屬間化合物及鉻的組織，其中，該金屬間化合物存在于銅基質的晶粒內及晶粒邊界、以及鉻與銅的界面上。

2.如權利要求1所述的電接點，其特征在于，作為前述金屬間化合物，含有Cr₂CuTe₄、Cr₄Cu₂Te₇之中的至少一種。

3.如權利要求1所述的電接點，其特征在于，前述鉻的含量為18～45體積％。

4.如權利要求1所述的電接點，其特征在于，前述金屬間化合物的含量為0.02～2.0體積％。

5.一種電接點的制造方法，其特征在于，將鉻的粉末、銅的粉末、和由鉻、銅和碲構成的金屬間化合物的粉末混合，并進行加壓成形，以銅的熔點以下的溫度進行加熱燒結。

6.如權利要求5所述的電接點的制造方法，其特征在于，前述混合粉末的加熱燒結在真空中、惰性氣氛中或者還原性氣氛中進行。

7.如權利要求5所述的電接點的制造方法，其特征在于，將鉻、銅和碲的粉末混合，并進行加壓成形，以前述金屬間化合物的熔點以下的溫度加熱，之后進行粉碎，獲得前述金屬間化合物的粉末。

8.如權利要求5所述的電接點的制造方法，其特征在于，將Cu₂Te的粉末和Cr₂Te₃的粉末混合，并進行加壓成形，以前述金屬間化合物的熔點以下的溫度加熱，之后進行粉碎，獲得前述金屬間化合物的粉末。

9.如權利要求7或8所述的電接點的制造方法，其特征在于，前述混合粉末的加熱在真空中、惰性氣氛中或者還原性氣氛中進行。

10.如權利要求5所述的電接點的制造方法，其特征在于，前述鉻粉末的粒徑在104μm以下，前述銅粉末及前述金屬間化合物粉末的粒徑在61μm以下。

11.一種電極，所述電極呈圓板形狀，具有形成在該圓板形狀的圓心的中心孔、以及相對于該中心孔非接觸地從圓心向外周部形成的多個貫通的狹槽，并且，具有成一體地接合于該圓板形狀的構件的電弧發生面的相反面上的電極棒，

其中，前述圓板形狀的構件由權利要求1～4中所記載的電接點構成。

12.一種真空閥，所述真空閥在真空容器內具有一對固定側電極及可動側電極，其中，前述固定側電極及可動側電極中的至少一個由權利要求11所述的電極構成。

13.一種真空斷路器，所述真空斷路器包括：在真空容器內具有一對固定側電極及可動側電極的真空閥；在前述真空閥外連接到該真空閥內的前述固定側電極及可動側電極的每一個上的導體端子；以及驅動前述可動側電極的開關機構，其中，前述真空閥由權利要求12所述的真空閥構成。

14.一種真空開關設備，具有開關機構，該開關機構利用導體將多個在真空容器內具有一對固定側電極和可動側電極的真空閥串聯地連接起來，并驅動前述可動側電極，前述真空閥由權利要求12所述的真空閥構成。