[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201010540011.0
• 申請日: 2010-11-02
• 公開（公告）號: CN102280441A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 陳碩懋;劉欽洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/535;H01L23/528
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一四角形晶體管單元，該四角形晶體管單元包含四個晶體管單元，其中該四個晶體管單元中每個均包含一柵極電極，該四個晶體管單元的該些柵極電極是對準一正方形的四邊，且該四個晶體管單元中至少二者是以平行方式連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該四個晶體管單元是以平行方式連接，借以形成一單一晶體管。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該四個晶體管單元的該些柵極電極是實體連接，以形成一連續柵極電極，且該連續柵極電極形成一封閉回路環。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，位于由該四個晶體管單元的該些柵極電極所環繞的一區域之內的該四個晶體管單元的數個源極區域或數個漏極區域是實體連接，以形成一共享源極或一共享漏極；

其中在俯視該半導體裝置時，該共享源極或該共享漏極具有一十字形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，位于該正方形的相鄰二邊上的該些柵極電極是實體連接，以形成一換流器的一N型金屬氧化物半導體晶體管的一柵極電極，且其中位于該正方形的其余的相鄰二邊上的該些柵極電極是實體連接，以形成該換流器的一P型金屬氧化物半導體晶體管的一柵極電極。

6.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一四角形晶體管單元，包含：

一柵極電極，形成包含四邊的一正方形；

四個主動區，其中該四個主動區中每個均包含：

一外側部分，位于該正方形之外，且該外側部分形成一第一源極/漏極區；以及

一內部部分，位于該正方形之中，且該內部部分形成一第二源極/漏極區；

其中該第一源極/漏極區、該第二源極/漏極區以及位于該第一源極/漏極區與該第二源極/漏極區之間的該柵極電極的該四邊的其中一者，形成四個晶體管單元的其中一者；以及

數個第一電性連接，其中該些第一電性連接是電性耦合該四個晶體管單元的該些第一源極/漏極區。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，還包含數個第二電性連接，其中該些第二電性連接是電性耦合該四個晶體管單元的該些第二源極/漏極區。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，還包含位于該正方形中的四個淺溝渠隔離區，其中該四個淺溝渠隔離區中每個均鄰近于該正方形的一角落。

9.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

一第一柵極電極及一第二柵極電極，形成一正方形相鄰的二邊，其中該第一柵極電極及該第二柵極電極是實體連接；

一第三柵極電極及一第四柵極電極，形成該正方形其余的相鄰的二邊，其中該第三柵極電極及該第四柵極電極是實體連接，且其中該第一柵極電極及該第二柵極電極是與該第三柵極電極及該第四柵極電極實體分離；

一第一晶體管，包含該第一柵極電極及該第二柵極電極，其中該第一柵極電極及該第二柵極電極是做為該第一晶體管的柵極電極；以及

一第二晶體管，包含該第三柵極電極及該第四柵極電極，其中該第三柵極電極及該第四柵極電極是做為該第二晶體管的柵極電極。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，該第一晶體管形成一換流器的一N型金屬氧化物半導體晶體管，且該第二晶體管形成該換流器的一P型金屬氧化物半導體晶體管，且其中該N型金屬氧化物半導體晶體管的一漏極是電性耦合至該P型金屬氧化物半導體晶體管的一源極。