[發(fā)明專利]可抗電弧沖蝕的銀基-不含鎘復(fù)合材的電接點(diǎn)材料無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010535380.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-11-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102467986A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪志緯;江文源;陳威助;王志榮;鄭文瑛;蔡伯晨;王威超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)探針股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01B1/00 | 分類號(hào)： | H01B1/00;H01B1/02;H01B1/08;H01R13/03 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電弧 沖蝕 不含鎘 復(fù)合 接點(diǎn) 材料 | ||
1.一種可抗電弧沖蝕的銀基-不含鎘復(fù)合材的電接點(diǎn)材料，其特征在于：該電接點(diǎn)材料的維式硬度值(Hv)為100～150，且于測(cè)試電流為1～5安培、10～20伏特條件下，其接觸電阻值為5～60mohm(毫歐姆)，且該抗電弧沖蝕能力達(dá)到2*103～10*103次數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電接點(diǎn)材料，其特征在于：該電接點(diǎn)材料是由Ag-(SnO2+In2O3)復(fù)合材所組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電接點(diǎn)材料，其特征在于：該Ag-(SnO2+In2O3)復(fù)合材的(SnO2+In2O3)成分所占比例為按重量計(jì)9～11％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電接點(diǎn)材料，其特征在于：該電接點(diǎn)材料是由Ag-Cu?oxide(氧化物)復(fù)合材所組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電接點(diǎn)材料，其特征在于：其中該Ag-Cu氧化物復(fù)合材的Cu氧化物成分所占比例為按重量計(jì)15～25％。
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