[發明專利]一種端羥基超支化聚胺-酯聚合物及其在微流控芯片中的應用無效
| 申請號： | 201010534403.6 | 申請日： | 2010-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN102060988A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | 壽崇琦;楊文;林棟;徐磊;劉冰;蔣大慶 | 申請（專利權）人： | 濟南大學 |
| 主分類號： | C08G63/685 | 分類號： | C08G63/685;G01N35/00 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 羥基 超支 化聚胺 聚合物 及其 微流控 芯片 中的 應用 | ||
1.一種端羥基超支化聚胺-酯聚合物，其特征是為G2代端羥基超支化聚胺-酯聚合物、G3代端羥基超支化聚胺-酯聚合物或G4代端羥基超支化聚胺-酯聚合物，G2代端羥基超支化聚胺-酯聚合物的結構式如下所示
G4代端羥基超支化聚胺-酯聚合物的結構式如下
由以下步驟制備而成：
(1)取等摩爾的二乙醇胺和丙烯酸甲酯，加入甲醇，混合均勻后加入反應器中，升溫至35℃保持4h，得到N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯；
(2)將N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯、對甲苯磺酸和三羥甲基丙烷加入反應器中，通氮氣，攪拌溶解，升溫至85℃，攪拌24h，
當三羥甲基丙烷與N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為1∶9時，得到G2代端羥基超支化聚胺-酯聚合物；
當三羥甲基丙烷與N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為1∶21時，得到G3代端羥基超支化聚胺-酯聚合物；
當三羥甲基丙烷與N，N-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯的摩爾比為1∶45時，得到G4代端羥基超支化聚胺-酯聚合物。
2.權利要求1所述的聚合物用于制備親水性微流控芯片。
3.根據權利要求2所述的親水性微流控芯片，其特征是通過以下步驟得到：
(a)制備聚二甲基硅氧烷微流控芯片基片；
(b)在氧氣氛中將微流控芯片基片氧化；
(c)將硅烷偶聯劑溶液用氮氣壓入到微流控芯片的通道中，放入100℃-120℃的烘箱反應，然后再將端羥基超支化聚胺-酯聚合物溶液與催化劑溶液用氮氣壓入到微流控芯片的通道中，50℃-70℃反應，得到端羥基超支化聚胺-酯聚合物改性的親水性微流控芯片。
4.根據權利要求3所述的微流控芯片，其特征在于步驟(c)中所述的端羥基超支化聚胺-酯聚合物為G2代、G3代或G4代端羥基超支化聚胺-酯聚合物。
5.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于所述硅烷偶聯劑為γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，所述催化劑為三氟化硼乙基醚。
6.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步驟(c)中將硅烷偶聯劑溶液用氮氣壓入到微流控芯片的通道中，放入110℃的烘箱反應40min。
7.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步驟(c)中將端羥基超支化聚胺-酯聚合物與催化劑溶液用氮氣壓入到微流控芯片的通道中60℃反應4h。
8.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于步驟(b)包括以下步驟：在容器中加入NaOH水溶液和H2O2水溶液，將制作好的微流控芯片放入容器中，固定在液面以上氧化。
9.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于NaOH水溶液為1mol/L，H2O2水溶液含H2O230wt％。
10.根據權利要求3或4所述的微流控芯片，其特征在于所述微流控芯片前端內徑小于末端內徑，末端與毛細管套接，末端內徑與毛細管外徑相配合。
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