[發明專利]硅片烘干可控裝置無效
| 申請號: | 201010534321.1 | 申請日: | 2010-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN102466987A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發明(設計)人: | 王朝偉;孫海雁 | 申請(專利權)人: | 西北機器有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/38 | 分類號: | G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司: | 西安創知專利事務所 61213 | 代理人: | 李子安 |
| 地址: | 710119 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 烘干 可控 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種烘干裝置,尤其是涉及一種用于光刻工藝中旋轉涂膠和顯影定影后的硅片烘干可控裝置。
背景技術
硅片烘干類設備是IC生產線上的關鍵設備之一,主要用于半導體集成電路、晶體管、LED、MEMS等生產中基片的烘干工藝中。光刻的基本工藝是由光刻膠涂敷、烘干、曝光、顯影定影及烘干等幾大步驟構成。由于光刻膠內含有溶劑,使得光刻膠本身能以液態的形式存在,因此在光刻膠涂敷后要進行烘干起到堅膜的作用,顯影液定影液也是以液態的形式存在,在顯影定影后要進行烘干起到烘干的作用。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足,提供一種硅片烘干可控裝置,其結構簡單,設計合理,能有效實現對基片的恒溫烘干,且不對基片造成污染,同時應用范圍廣。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:一種硅片烘干可控裝置,其特征在于:包括石英加熱模塊以及與所述石英加熱模塊相接的氮氣管路系統和用于控制所述石英加熱模塊工作狀態的溫區控制系統,所述石英加熱模塊上部中心設置有氮氣入口,所述氮氣入口與所述氮氣管路系統相接。
上述的硅片烘干可控裝置,其特征在于:所述石英加熱模塊包括石英管和套裝在石英管外側的外圍板,所述石英管外表面包覆有加熱器一、加熱器二和加熱器三,所述加熱器一、加熱器二和加熱器三的端部均位于外圍板外,所述外圍板與石英管之間填充有隔熱層。
上述的硅片烘干可控裝置,其特征在于:所述氮氣管路系統由氮氣氣源以及依次設置在氮氣氣源管路上的電磁閥、精密壓力開關和精密流量計。
上述的硅片烘干可控裝置,其特征在于:所述氮氣管路系統包括上位機、與上位機輸入端相接的溫控儀一、溫控儀二和溫控儀三以及與上位機輸出端相接的固態繼電器一、固態繼電器二和固態繼電器三,所述固態繼電器一與加熱器一相接,所述固態繼電器二與加熱器二相接,所述固態繼電器三與加熱器三相接。
上述的硅片烘干可控裝置,其特征在于:還包括與溫控儀一相接且用于實時檢測加熱器一溫度的熱電偶一、與溫控儀二相接且用于實時檢測加熱器二溫度的熱電偶二和與溫控儀三相接且用于實時檢測加熱器三的熱電偶三。
本發明與現有技術相比具有以下優點:
1、結構簡單,設計合理,該硅片烘干可控裝置包括石英加熱模塊以及與石英加熱模塊相接的氮氣管路系統和用于控制石英加熱模塊工作狀態的溫區控制系統,石英加熱模塊上部中心設置有氮氣入口,氮氣入口與氮氣管路系統相接。
2、通過上位機對溫控儀設定溫度和實時檢測溫度進行對比,來控制固態繼電器和電磁閥,以及通過在高純度石英管外部包覆加熱器來對氮氣進行保護,進而使得溫區系統處于恒溫狀態對基片進行烘干,且不會對基片造成損壞、污染,保證烘干工藝有效進行。
3、應用范圍廣,可有效適用于半導體、LED、MEMS等生產領域。
下面通過附圖和實施例,對本發明做進一步的詳細描述。
附圖說明
圖1為本發明的整體結構示意圖。
圖2為本發明溫區控制系統的結構示意圖。
圖3為本發明氮氣管路系統的結構示意圖。
附圖標記說明:
1-外圍板;???????2-隔熱層;???????3-石英管;
4-加熱器一;?????5-加熱器二;?????6-加熱器三;
7-上位機;???????8-溫控儀一;?????9-溫控儀二;
10-溫控儀三;????11-固態繼電器一;12-固態繼電器二;
13-固態繼電器三;14-氮氣氣源;????15-電磁閥;
16-精密壓力開關;17-精密流量計;??18-熱電偶一;
19-熱電偶二;????20-熱電偶三;????21-氮氣入口。
具體實施方式
如圖1所示的一種硅片烘干可控裝置,包括石英加熱模塊以及與所述石英加熱模塊相接的氮氣管路系統和用于控制所述石英加熱模塊工作狀態的溫區控制系統,所述石英加熱模塊上部中心設置有氮氣入口21,所述氮氣入口21與所述氮氣管路系統相接。
如圖1所示,所述石英加熱模塊包括石英管3和套裝在石英管3外側的外圍板1,所述石英管3外表面包覆有加熱器一4、加熱器二5和加熱器三6,所述加熱器一4、加熱器二5和加熱器三6的端部均位于外圍板1外,所述外圍板1與石英管3之間填充有隔熱層2。
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