[發明專利]靜電放電保護電路

有效

• 申請號: 201010534194.5
• 申請日: 2010-11-02
• 公開（公告）號: CN102214916A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 任麗平;段孝勤;何大椿
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種靜電放電(ESD)保護電路，包括：

至少一雙極晶體管；

至少一絕緣架構，設置在基板中，所述至少一絕緣架構用于電性絕緣所述至少一雙極晶體管的二端點；以及

至少一二極管，電性耦接所述至少一雙極晶體管，其中所述至少一二極管的一結界面設置相鄰于所述至少一絕緣架構。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述至少一二極管是用于觸發所述至少一雙極晶體管以釋放一ESD電流，且所述至少一二極管的該結界面設置于所述至少一絕緣架構之下，以至于所述至少一二極管的一崩潰電壓實質上地免于被該表面效應所影響。

3.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述至少一雙極晶體管包括：

一第一導電型態的一射極端點；

一第二導電型態的一基極端點，其中該基極端點是設置環繞該射極端點且電性絕緣該射極端點；以及

該第一導電型態的一集極端點，其中該集極端點設置環繞該基極端點且借由所述至少一絕緣架構電性絕緣該基極端點。

4.如權利要求3所述的靜電放電保護電路，包括：

該第一導電型態的一第一淺摻雜區域，其中所述至少第一淺摻雜區域設置在該集極端點之下；以及

該第二導電型態的一第二淺摻雜區域，其中該第二淺摻雜區域設置在該基極端點之下，且一間隔介于該第一淺摻雜區域及該第二淺摻雜區域的側邊。

5.如權利要求4所述的靜電放電保護電路，其中借由改變該第一淺摻雜區域及該第二淺摻雜區域的側邊之間的該間隔，所述至少一二極管的一觸發電壓是可調整的。

6.如權利要求4所述的靜電放電保護電路，還包括：

該第一導電型態的一第一深摻雜區域，其中該第一深摻雜區域設置環繞該第二淺摻雜區域且在該第二淺摻雜區域之下；

該第二導電型態的一第二深摻雜區域，其中該第二深摻雜區域設置環繞?該第一深摻雜區域；以及

該第二導電型態的一埋摻雜區域，其中該埋摻雜區域是設置在該第一深摻雜區域之下。

7.如權利要求6所述的靜電放電保護電路，其中借由改變該埋摻雜區域、該第二深摻雜區域及該第二淺摻雜區域的至少一摻雜物濃度，所述至少一雙極晶體管的一維持電壓是可調整的。

8.如權利要求3所述的靜電放電保護電路，更包括：

該第一導電型態的一淺摻雜區域，其中該淺摻雜區域設置在該集極端點之下，其中借由改變該淺摻雜區域的側邊及該基極端點的側邊之間的一間隔，所述至少一二極管的一觸發電壓是可調整的；以及

該第一導電型態的一第一深摻雜區域，其中該第一深摻雜區域接觸該基極端點及該射極端點；

該第二導電型態的一第二深摻雜區域，其中該第二深摻雜區域設置環繞該第一深摻雜區域；以及

該第二導電型態的一埋摻雜區域，其中該埋摻雜區域設置在該第一深摻雜區域之下。

9.如權利要求3所述的靜電放電保護電路，更包括：

該第一導電型態的一第一淺摻雜區域，其中該第一淺摻雜區域設置在該集極端點之下；

該第二導電型態的一第二淺摻雜區域，其中該第二淺摻雜區域直接接觸該基極端點及該射極端點；

該第二導電型態的一第一深摻雜區域，其中該第一深摻雜區域設置在該淺摻雜區域之下；

該第二導電型態的一第二深摻雜區域，其中該第二深摻雜區域設置環繞該第一深摻雜區域及該淺摻雜區域；以及

該第二導電型態的一埋摻雜區域，其中該埋摻雜區域是設置在該第一深摻雜區域之下。

10.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中所述至少一雙極晶體管，所述至少一絕緣架構，以及所述至少一二極管設置在一焊盤之下，且被該焊盤所覆蓋，該焊盤電性耦接該ESD保護電路。?