[發明專利]相變存儲器的制作方法無效
| 申請號： | 201010532648.5 | 申請日： | 2010-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN102468427A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 張翼英;何其旸 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲器 制作方法 | ||
1.一種相變存儲器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有層間介質層，所述層間介質層內形成有溝槽開口，所述溝槽開口露出下方的半導體襯底；
在所述溝槽開口內形成底部電極，所述底部電極的深度小于所述層間介質層的厚度；
在所述底部電極上形成絕緣介質層，所述絕緣介質層與層間介質層具有刻蝕選擇比，所述絕緣介質層與所述層間介質層之間具有間隙，所述間隙形成接觸孔；
在所述絕緣介質層上形成相變層，所述相變層填充滿所述接觸孔。
2.如權利要求1所述的相變存儲器的制作方法，其特征在于，所述在所述底部電極上形成絕緣介質層包括：
在所述半導體襯底上形成絕緣介質層，所述絕緣介質層的厚度小于所述溝槽開口的1/2，所述絕緣介質層至少覆蓋所述溝槽開口的側壁和底部電極；
在所述半導體襯底上形成掩膜介質層，所述掩膜介質層至少填充滿剩余的溝槽開口，所述絕緣介質層對掩膜介質層的刻蝕選擇比大于2；
去除位于溝槽開口以外的絕緣介質層和掩膜介質層；
以所述掩膜介質層為掩膜，沿所述溝槽開口的側壁進行刻蝕，去除位于所述溝槽側壁的絕緣介質層，在剩余的絕緣介質層與層間介質層之間具有間隙，所述間隙形成接觸孔；
去除所述掩膜介質層。
3.如權利要求2所述的相變存儲器的制作方法，其特征在于，所述接觸孔為環形接觸孔，所述接觸孔環繞所述溝槽開口的側壁。
4.如權利要求2所述的相變存儲器的制作方法，其特征在于，所述層間介質層的材質為氧化硅，所述絕緣介質層的材質為氮化硅、含碳氮化硅；所述掩膜介質層的材質為多晶硅或非晶碳。
5.如權利要求2所述的相變存儲器的制作方法，其特征在于，所述去除位于溝槽開口以外的絕緣介質層和掩膜介質層的方法為化學機械研磨的方法。
6.如權利要求2所述的相變存儲器制作方法，其特征在于，所述掩膜介質層利用濕法刻蝕或灰化工藝去除。
7.如權利要求1所述的相變存儲器制作方法，其特征在于，所述底部電極的材質為金屬或多晶硅。
8.如權利要求1所述的相變存儲器制作方法，其特征在于，所述相變層的材質為硫族化合物合金。
9.如權利要求7所述的相變存儲器制作方法，其特征在于，所述硫族化合物合金為Ge-Sb-Te、Ag-In-Te或Ge-BiTe。
10.如權利要求1所述的相變存儲器的制作方法，其特征在于，所述在所述絕緣介質層上形成相變層，所述相變層填充滿所述接觸孔包括：
在所述絕緣介質層上沉積相變材料，所述相變材料至少填充滿所述接觸孔；
對所述半導體襯底進行退火處理，使得所述相變材料在收縮的狀態下填滿所述接觸孔；
對所述退火后的相變材料進行刻蝕，形成相變層，所述相變層通過所述接觸孔與下方的底部電極電連接。
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