[發明專利]半導體裝置無效
| 申請號： | 201010530648.1 | 申請日： | 2010-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102148235A | 公開（公告）日： | 2011-08-10 |
| 發明（設計）人： | 本田成人 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，
具備：無機氧化膜，選擇性地形成在第一導電型的半導體襯底上；電極層，在所述半導體襯底上以夾持所述無機酸化膜的方式形成，
所述無機氧化膜摻雜有使相對介電常數降低的元素。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述無機氧化膜是硅氧化膜，
所述元素是氟。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述半導體襯底和所述無機氧化膜之間還具備熱氧化膜。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述無機氧化膜上還具備CVD絕緣膜。
5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：
第二導電型的第一雜質區域，在所述半導體襯底表面與所述電極層接觸地形成；
第二導電型的第二雜質區域，在所述無機氧化膜下的所述半導體襯底表面與所述第一雜質區域相鄰地形成，并且濃度比所述第一雜質區域低。
6.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述半導體襯底是SiC或者GaN襯底。
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