[發明專利]離子注入裝置及束電流密度分布的調整方法

有效

• 申請號: 201010528640.1
• 申請日: 2010-11-01
• 公開（公告）號: CN102237245A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 中尾和浩
• 申請（專利權）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/304
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;武玉琴

1.一種離子注入裝置，其特征在于包括：

m個離子束供給裝置，提供m個帶狀離子束，其中m為2以上的整數；

束輪廓儀，設置于處理室內，分別測定所述m個帶狀離子束在長邊方向上的束電流密度分布；

束電流密度分布調整部件，按照每個所述離子束供給裝置分別設置，用于調整用所述束輪廓儀測定的所述束電流密度分布；

玻璃基板輸送機構，在所述處理室內，以與所述m個帶狀離子束的長邊方向交叉的方式輸送玻璃基板；以及

控制裝置，控制所述束電流密度分布調整部件，在由所述玻璃基板輸送機構輸送的所述玻璃基板上，使由所述m個帶狀離子束照射的區域至少部分重疊，實現預先規定的注入量分布，

所述控制裝置對所述m個帶狀離子束分別設定作為所述束電流密度分布的調整目標的目標分布，

并按照預先決定的順序，控制到第m-1個為止的所述帶狀離子束的所述束電流密度分布，使得該束電流密度分布相對于對各個帶狀離子束設定的所述目標分布進入第一容許范圍內，

而且所述控制裝置根據將到第m-1個為止的所述帶狀離子束調整后的束電流密度分布合計所得到的束電流密度分布與將對到第m個為止的所述帶狀離子束設定的所述目標分布合計所得到的束電流密度分布之間的差，設定用于調整第m個所述帶狀離子束的所述束電流密度分布的新的目標分布，并控制所述第m個所述帶狀離子束的束電流密度分布，使得該第m個所述帶狀離子束的束電流密度分布相對于所述新的目標分布進入比所述第一容許范圍小的第二容許范圍內。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于：

所述控制裝置在調整第n個所述帶狀離子束的束電流密度分布之后，判斷將到第n個為止的各束電流密度分布的調整結果合計所得到的束電流密度分布與將對到第n個為止的各帶狀離子束設定的所述目標分布合計所得到的束電流密度分布之間的差，是否在比所述第一容許范圍大的第三容許范圍內，其中n為整數，且2≤n≤m-1，

并在所述差不在所述第三容許范圍內的情況下，對第n個離子束的束電流密度分布進行重新調整，使得該第n個離子束的束電流密度分布進入所述第三容許范圍內。

3.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于：

所述控制裝置在調整第n個所述帶狀離子束的束電流密度分布之后，判斷將到第n個為止的各帶狀離子束的束電流密度分布的調整結果合計所得到的束電流密度分布與將對到第n個為止的各帶狀離子束設定的所述目標分布合計所得到的束電流密度分布之間的差，是否在第三容許范圍內，其中n為整數，且1≤n≤m-1，

并在所述差不在所述第三容許范圍內的情況下，對第n個離子束的束電流密度分布進行重新調整，使得該第n個離子束的束電流密度分布進入所述第三容許范圍內。