[發(fā)明專利]離子注入裝置及束電流密度分布的調(diào)整方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010528640.1
• 申請日: 2010-11-01
• 公開（公告）號: CN102237245A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中尾和浩
• 申請（專利權(quán)）人: 日新離子機器株式會社
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/304
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 李雪春;武玉琴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使由多個帶狀離子束照射的區(qū)域重疊，在玻璃基板上形成規(guī)定的注入量分布的離子注入裝置以及在該離子注入裝置中使用的束電流密度分布的調(diào)整方法。

背景技術(shù)

近年來，以液晶電視為代表的液晶產(chǎn)品的大型化非常顯著。在半導(dǎo)體制造工序中，為了在一個處理工序中處理更多的液晶面板，進行了增大玻璃基板的尺寸，并從大型的玻璃基板獲得多塊液晶面板的嘗試。對于作為半導(dǎo)體制造裝置之一的離子注入裝置，要求要與這樣的大型的玻璃基板相適應(yīng)。

為了應(yīng)對這樣的要求，至今為止開發(fā)了專利文獻1所記載的離子注入裝置。

在專利文獻1中公開了：使用比玻璃基板的尺寸小的兩個離子束，對玻璃基板的整個面實施離子注入處理的技術(shù)。更具體地說，在專利文獻1中，作為一個例子，把相互垂直的三個方向(X、Y及Z方向)分別定義為離子束的短邊方向、離子束的長邊方向及離子束的行進方向。兩個離子束在X方向上位于相互離開的位置，在Y方向上使雙方的中心位置相互錯開，使得在玻璃基板上由各離子束照射的區(qū)域部分重疊，在對玻璃基板實施離子注入處理的處理室內(nèi)進行照射。此外，通過以橫穿這樣的離子束的方式，沿X方向輸送玻璃基板，可以沿玻璃基板的整個面實現(xiàn)離子注入處理。

專利文獻1中所記載的技術(shù)的玻璃基板的輸送速度是一定的。由于要沿玻璃基板的整個面實現(xiàn)均勻的注入量分布，所以照射在玻璃基板上的離子束的電流密度分布，如專利文獻1中的圖6所示，要調(diào)整成包括兩個離子束重迭的區(qū)域，沿Y方向整體為大體均勻的電流密度分布。

專利文獻1：日本專利公開公報特開2009-152002號(圖1、圖3、圖6及0077～0088段)

通常，在離子束重迭區(qū)域中的束電流密度分布的調(diào)整，與調(diào)整一個離子束的束電流密度分布的情況相比，作為調(diào)整對象的參數(shù)的個數(shù)多而且復(fù)雜。在調(diào)整復(fù)雜的情況下，如果胡亂地進行調(diào)整，則到調(diào)整結(jié)束為止需要相當(dāng)長的時間。此外，如果調(diào)整束電流密度分布花費大量時間，則還會產(chǎn)生導(dǎo)致離子注入裝置的生產(chǎn)率(處理能力)降低的問題。

可是，在專利文獻1中，對于在離子束重迭區(qū)域的束電流密度分布的調(diào)整，只是記載了把離子束重迭區(qū)域的束電流密度分布調(diào)整成與其它區(qū)域(未重迭的區(qū)域)中的束電流密度分布大體相等，并未公開具體怎樣進行調(diào)整才能成為高效的調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有用于在多個離子束重疊的區(qū)域能夠高效地調(diào)整各離子束的束電流密度的控制裝置的離子注入裝置以及在該離子注入裝置中使用的束電流密度的調(diào)整方法。

即，本發(fā)明提供一種離子注入裝置。其特征在于包括：m個離子束供給裝置，提供m個帶狀離子束，其中m為2以上的整數(shù)；束輪廓儀，設(shè)置于處理室內(nèi)，分別測定所述m個帶狀離子束在長邊方向上的束電流密度分布；束電流密度分布調(diào)整部件，按照每個所述離子束供給裝置分別設(shè)置，用于調(diào)整用所述束輪廓儀測定的所述束電流密度分布；玻璃基板輸送機構(gòu)，在所述處理室內(nèi)，以與所述m個帶狀離子束的長邊方向交叉的方式輸送玻璃基板；以及控制裝置，控制所述束電流密度分布調(diào)整部件，在由所述玻璃基板輸送機構(gòu)輸送的所述玻璃基板上，使由所述m個帶狀離子束照射的區(qū)域至少部分重疊，實現(xiàn)預(yù)先規(guī)定的注入量分布，所述控制裝置對所述m個帶狀離子束分別設(shè)定作為所述束電流密度分布的調(diào)整目標(biāo)的目標(biāo)分布，并按照預(yù)先決定的順序，控制到第m-1個為止的所述帶狀離子束的所述束電流密度分布，使得該束電流密度分布相對于對各個帶狀離子束設(shè)定的所述目標(biāo)分布進入第一容許范圍內(nèi)，而且所述控制裝置根據(jù)將到第m-1個為止的所述帶狀離子束調(diào)整后的束電流密度分布合計所得到的束電流密度分布與將對到第m個為止的所述帶狀離子束設(shè)定的所述目標(biāo)分布合計所得到的束電流密度分布之間的差，設(shè)定用于調(diào)整第m個所述帶狀離子束的所述束電流密度分布的新的目標(biāo)分布，并控制所述第m個所述帶狀離子束的束電流密度分布，使得該第m個所述帶狀離子束的束電流密度分布相對于所述新的目標(biāo)分布進入比所述第一容許范圍小的第二容許范圍內(nèi)。