[發明專利]堆棧式封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010528021.2
• 申請日: 2010-10-21
• 公開（公告）號: CN102054787A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 陳仁川;張惠珊;賴宥丞
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/065;H01L23/00;H01L23/28;H01L23/31
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種堆棧式封裝結構的制造方法，包括：

(a)提供一第一晶圓，該第一晶圓包括一第一晶圓本體、數個第一連通柱及數個第一凸塊，該第一晶圓本體包括一第一表面及一第二表面，這些第一連通柱突出于該第一表面，這些第一凸塊鄰接于該第二表面且電性連接這些第一連通柱；

(b)形成且固化一第一保護層于這些第一凸塊上，以覆蓋這些第一凸塊；

(c)切割該第一晶圓，以形成數個第一晶粒；

(d)提供一第二晶圓，該第二晶圓包括一第二晶圓本體及數個第二凸塊，該第二晶圓本體包括一第三表面及一第四表面，這些第二凸塊鄰接于該第三表面，且該第四表面相對于該第三表面；

(e)形成一第二保護層于這些第二凸塊上，以覆蓋這些第二凸塊；

(f)利用一接合頭通過該第一保護層吸附這些第一晶粒，且將這些第一晶粒接合于該第二晶圓上，其中這些第一連通柱電性連接這些第二凸塊；

(g)移除該接合頭，且移除部分該第一保護層以顯露這些第一凸塊；

(h)切割該第二晶圓，以形成數個第二晶粒；

(i)提供一基板，該基板具有一上表面；

(j)形成一第三保護層于該基板上表面；及

(k)將該第一晶粒及該第二晶粒接合于該基板上表面，其中這些第一凸塊電性連接該基板上表面。

2.如權利要求1的方法，其中該步驟(a)中，這些第一連通柱突出的一端具有一表面處理層。

3.如權利要求1的方法，其中該步驟(a)中，該第一晶圓更包括一絕緣層及一重布層，該絕緣層位于該第一表面，且該重布層位于該第二表面。

4.如權利要求1的方法，其中這些第一凸塊包含銅柱，這些第二凸塊為焊料。

5.如權利要求1的方法，其中該第一保護層為一非導電膜，該第二保護層及該第三保護層為一非導電膜或一底膠。

6.如權利要求1的方法，其中該步驟(d)中，該第二晶圓為數個，每一第二晶圓具有數個第二連通柱，且這些第二晶圓堆棧在一起。

7.如權利要求1的方法，其中該步驟(k)之后更包括一形成一封膠材料于該基板上表面以包覆該第一晶粒及該第二晶粒的步驟。

8.一種堆棧式封裝結構，包括：

一基板，具有一上表面；

一第一晶粒，接合于該基板，該第一晶粒包括一第一晶粒本體、數個第一連通柱及數個第一凸塊，該第一晶粒本體包括一第一表面及一第二表面，這些第一連通柱突出于該第一表面，這些第一凸塊鄰接于該第二表面且電性連接這些第一連通柱，且這些第一凸塊電性連接該基板上表面；

一第一保護層，鄰接于該第二表面，且這些第一凸塊突出于該第一保護層之外；

一第三保護層，位于該基板上表面及該第一保護層之間，以保護這些第一凸塊；

一第二晶粒，接合于該第一晶粒，該第二晶粒包括一第二晶粒本體及數個第二凸塊，該第二晶粒本體包括一第三表面及一第四表面，這些第二凸塊鄰接于該第三表面，且這些第二凸塊電性連接這些第一連通柱；及

一第二保護層，位于該第一晶粒第一表面及該第二晶粒第三表面之間，以保護這些第二凸塊。

9.如權利要求8的堆棧式封裝結構，其中這些第一連通柱貫穿該第一晶粒本體。

10.如權利要求8的堆棧式封裝結構，其中這些第一連通柱突出的一端具有一表面處理層。

11.如權利要求8的堆棧式封裝結構，其中該第一晶粒更包括一絕緣層及一重布層，該絕緣層位于該第一表面，且該重布層位于該第二表面。

12.如權利要求8的堆棧式封裝結構，其中這些第一凸塊包含銅柱，這些第二凸塊為焊料。

13.如權利要求12的堆棧式封裝結構，其中該第一保護層為一非導電膜，該第二保護層為一非導電膜或一底膠，且該第三保護層為一非導電膜或一底膠。

14.如權利要求12的堆棧式封裝結構，其中該第二晶粒為數個，每一第二晶粒具有數個第二連通柱，且這些第二晶粒堆棧在一起。