[發(fā)明專利]納米微結(jié)構(gòu)的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010526458.2 | 申請日： | 2010-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN102456547A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李昇儒 | 申請（專利權(quán)）人： | 和椿科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;趙占元 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 微結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供一基板；
于該基板上形成多個納米球；
于該基板上及各該納米球之間形成待蝕刻膜；
移除各該納米球；
于該待蝕刻膜上形成阻層；
進行濕蝕刻，以移除該待蝕刻膜及其下的部分基板材料，以于該基板表面形成多個凸塊；以及
移除該阻層，以露出各該凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該基板為氧化鋁基板或硅基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該待蝕刻膜為金屬氧化物或金屬氮化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該待蝕刻膜還包括選自氮、磷及硼所組成群組中的一種或多種摻雜物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該阻層為金屬氧化物或金屬氮化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該阻層為氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該阻層的材料不同于該待蝕刻膜的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該凸塊的高度與寬度的比值范圍為0.25至0.5。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該凸塊具有晶格面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米微結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括于進行濕蝕刻之前，先進行燒結(jié)工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
