[發明專利]納米微結構的制造方法

無效

• 申請號: 201010526458.2
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102456547A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 李昇儒
• 申請（專利權）人: 和椿科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;趙占元

1.一種納米微結構的制造方法，包括：

提供一基板；

于該基板上形成多個納米球；

于該基板上及各該納米球之間形成待蝕刻膜；

移除各該納米球；

于該待蝕刻膜上形成阻層；

進行濕蝕刻，以移除該待蝕刻膜及其下的部分基板材料，以于該基板表面形成多個凸塊；以及

移除該阻層，以露出各該凸塊。

2.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該基板為氧化鋁基板或硅基板。

3.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該待蝕刻膜為金屬氧化物或金屬氮化物。

4.根據權利要求3所述的納米微結構的制造方法，其中，該待蝕刻膜還包括選自氮、磷及硼所組成群組中的一種或多種摻雜物。

5.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該阻層為金屬氧化物或金屬氮化物。

6.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該阻層為氧化硅。

7.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該阻層的材料不同于該待蝕刻膜的材料。

8.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該凸塊的高度與寬度的比值范圍為0.25至0.5。

9.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，其中，該凸塊具有晶格面。

10.根據權利要求1所述的納米微結構的制造方法，還包括于進行濕蝕刻之前，先進行燒結工藝。