[發明專利]納米微結構的制造方法

無效

• 申請號: 201010526458.2
• 申請日: 2010-10-27
• 公開（公告）號: CN102456547A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 李昇儒
• 申請（專利權）人: 和椿科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;趙占元

技術領域

本發明涉及一種納米微結構的制造方法，尤指一種利用納米球制作納米微結構的方法。

背景技術

由于發光二極管具有體積小、質量輕且發光效率高等優點，因此，目前已廣泛運用于照明或信息提示的使用方面。但該發光二極管的發光元件經由結合載座所發出的光呈放射狀散射，光源無法集中發射，因此，光源的均勻化、最佳化設計以及處理方式技術相當重要；目前業界均使用圖案化基板，以具有降低外延生長(epitaxy)缺陷及提高光萃取的功效，而外延生長結構的好壞更影響工藝良品率及半導體發光二極管的效能。

請參閱圖1A至圖1F，其顯示了現有納米微結構1的制造方法。如圖1A所示，提供一基板10，且于真空環境下，在該基板10上形成氧化硅層11。如圖1B所示，在該基板10及氧化硅層11上涂布光阻層12，且進行黃光微影制工藝，以于該光阻層12上形成多個圖案化開孔120，令該氧化硅層11表面外露于各該開孔120。如圖1C所示，蝕刻移除各該開孔120中的氧化硅層11，以令該基板10表面外露于各該開孔120。如圖1D所示，移除該光阻層12。如圖1E所示，進行濕蝕刻，以移除外露基板10的局部材料，以于該基板10上形成多個凹槽100。如圖1F及圖1G所示，移除該氧化硅層11，從而制作出納米微結構1。

或如圖1E’所示，進行濕蝕刻，以移除外露基板10的局部材料，以于該基板10上形成多凹洞100’。如圖1F’及圖1G’所示，移除該氧化硅層11，從而制作出納米微結構1。

但是，上述現有的制造方法，因需在真空條件操作并采用黃光微影工藝，故導致工藝繁瑣且設備、廠房投資成本昂貴。

因此，開發一套新穎的納米微結構制造方法，實已成目前重要的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的種種缺陷，本發明揭露一種納米微結構的制造方法，包括：提供一基板；于該基板上形成多個納米球；于該基板上及各該納米球之間形成待蝕刻膜；移除各該納米球；于該待蝕刻膜上形成阻層；進行濕蝕刻，以移除該待蝕刻膜及其下的部分基板材料，以于該基板表面形成多個凸塊；以及移除該阻層，以露出各該凸塊。

在前述的制造方法中，該基板為氧化鋁(Al₂O₃)基板或硅基板。

在前述的制造方法中，該待蝕刻膜為金屬氧化物或金屬氮化物，例如：氧化鋁。

在前述的制造方法中，該阻層為金屬氧化物或金屬氮化物，該阻層的材料不同于該待蝕刻膜。

在前述的制造方法中，該凸塊的高度與寬度的比值范圍為0.25至0.5，且該凸塊具有晶格面。

前述的制造方法還包括于進行濕蝕刻之前，先進行燒結工藝。

由上可知，本發明不需真空工藝與黃光微影工藝，不僅可簡化工藝，還能大幅降低制造成本。

附圖說明

圖1A至圖1F為顯示現有納米微結構的制造方法的剖面示意圖，其中，圖1E’至圖1F’為圖1E至圖1F的另一實施例；

圖1G為圖1F的局部立體示意圖；

圖1G’為圖1F’的局部上視示意圖；

圖2A至圖2F為顯示本發明的納米微結構的制造方法的剖面示意圖；

圖2G為圖2F的局部上視示意圖；以及

圖2G’為圖2G的另一實施例。

【主要元件符號說明】

1納米微結構?????????10基板

100凹槽?????????????100’凹洞

11氧化硅層??????????12光阻層

120開孔?????????????2納米微結構

20、20’基板????????200、200’凸塊

200a晶格面??????????21納米球

22待蝕刻膜??????????22a上部蝕刻膜

23阻層??????????????h高度

w寬度

具體實施方式

以下通過特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域的普通技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其他優點及功效。