[發(fā)明專利]封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010525679.8 | 申請日: | 2010-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN102044446A | 公開(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 武曉培;劉建輝 | 申請(專利權(quán))人: | 深南電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 彭愿潔;李文紅 |
| 地址: | 518000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 開窗 對位 靶標(biāo) 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及PCB產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法。
背景技術(shù)
近年來,隨著人們對微型化、輕薄化以及功能更加強大化的消費性電子產(chǎn)品需求的猛增,以及半導(dǎo)體微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,促使半導(dǎo)體封裝更加高密度化,使得導(dǎo)線的寬度、導(dǎo)線之間的距離更加細(xì)小,導(dǎo)線之間的距離由50um向15μm發(fā)展,PCB板上的孔的直徑由200μm發(fā)展到50μm,此外孔的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜化,出現(xiàn)2階孔、3階孔以及更高階的孔,PCB板層間通過鍍銅的通孔、埋孔和盲孔堆疊相連實現(xiàn)導(dǎo)電。
封裝基板的高密度化的實現(xiàn)則直接取決于PCB板層間的微小孔連接和線路,且隨著板件向著小型化和高密度化方向的發(fā)展,越來越多的板件采用盲孔的方式實現(xiàn)線路的高密度互連,因此封裝基板的盲孔形成技術(shù)成為制造封裝基板的主要關(guān)鍵技術(shù)之一。
由于盲孔的功能是連通相鄰兩層的電路,其特點是孔徑小,最小可達(dá)50μm,目前所采用的機械鉆孔工藝技術(shù)因受本身加工精度和所能加工的微型孔尺寸的限制,無法進(jìn)行封裝基板上盲孔的加工。自1994年發(fā)明了CO2激光鉆孔機以來,已在電子電路制造行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。
目前盲孔使用激光技術(shù)實現(xiàn)加工,多采用開窗工藝,即在PCB板的銅箔表面貼一層20μm-40μm的干膜,經(jīng)過曝光顯影處理,露出激光打孔位置的銅箔,然后利用蝕刻液去除打孔位置的銅箔,露出打孔位置的樹脂,剝除殘余的干膜,PCB板經(jīng)過激光燒蝕成孔,清除孔內(nèi)炭化殘渣后,垂直電鍍或者填孔電鍍,即可連通上下兩層電路。
由于盲孔的加工精度要求非常高,在加工的過程中,需要在封裝基板上設(shè)置一套對位靶標(biāo),以對盲孔的加工位置進(jìn)行校正,防止其他因素影響加工精度。
目前業(yè)界內(nèi),封裝基板的激光盲孔對位方法都是采用以內(nèi)層靶標(biāo)為基準(zhǔn),將加工有靶標(biāo)的中心基層與封裝基板的配板進(jìn)行層壓,經(jīng)過機械鉆孔,然后貼干膜,經(jīng)過曝光、蝕刻后將配板上的銅箔去除,然后采用激光鉆孔將配板上的樹脂進(jìn)行去除,最后去除鉆污后進(jìn)行開銅窗以便進(jìn)行盲孔的加工,其具體流程為:
→層壓→鉆孔→貼干膜→曝光→蝕刻→激光鉆孔→去鉆污→開銅窗...
上述激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作工藝比較復(fù)雜,嚴(yán)重影響了封裝基板的激光盲孔加工效率。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法,簡化了封裝基板上的激光盲孔開窗對位靶標(biāo)的制作方法,提高了工作效率。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法,包括以下步驟:
步驟a、將貼靶材料貼附在中心基板的靶標(biāo)上;
步驟b、將配板層壓在所述中心基板上;
步驟c、將所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域切除,并撕掉所述貼靶材料。
優(yōu)選的,上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中,步驟c具體實現(xiàn)為:
c1、在所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣進(jìn)行鉆孔,使得所述配板上與所述貼靶材料所對應(yīng)的區(qū)域的邊緣分布定位孔;
c2、用刀具將所述配板上與所述貼靶材料對應(yīng)的區(qū)域切除,并撕開所述貼靶材料。
優(yōu)選的,上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中,所述貼靶材料比靶標(biāo)的尺寸大1mm~2mm。
優(yōu)選的,上述封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中,所述貼靶材料比所述靶標(biāo)的尺寸大1.5mm。
從上述的技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明實施例中提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法中,在中心基板與配板進(jìn)行層壓之前,先在中心基板上的靶標(biāo)上貼附一層貼靶材料,然后中心基板與配板進(jìn)行層壓,層壓后,將配板上與中心配板上的靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行切除,露出貼靶材料后將貼靶材料揭開,從而完成封裝基板的盲孔開窗定位靶標(biāo)的制作,本發(fā)明提供的方法中,改變了現(xiàn)有技術(shù)中采用在配板上與靶標(biāo)所對應(yīng)的區(qū)域采用鉆孔、貼干膜、曝光、蝕刻、激光鉆孔、去玷污等一系列的加工流程,只需要在靶標(biāo)上貼一層貼靶材料,層壓后直接將靶標(biāo)所對應(yīng)的部位進(jìn)行切除,并揭開貼靶材料露出靶標(biāo)即可,簡化了流程,提高了封裝基板的盲孔開窗靶標(biāo)的制作效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實施例提供的封裝基板的盲孔開窗對位靶標(biāo)制作方法的流程圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





